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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2556-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: K2556-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2556-VB 產(chǎn)品簡介

K2556-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)可達±20V,確保器件能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。該MOSFET的門限電壓(Vth)為1.7V,使其在低電壓下即可輕松開啟。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時僅為8mΩ,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗,同時保證高效能運行。K2556-VB 采用Trench技術(shù),具有優(yōu)異的開關(guān)速度和熱管理性能,廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、便攜式電子設(shè)備和電源管理領(lǐng)域。

### 二、K2556-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門限電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 8mΩ @ VGS=10V
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)類型**: Trench
- **最大耗散功率**: 2.5W
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
- **輸入電容 (Ciss)**: 1200pF (典型值)
- **輸出電容 (Coss)**: 200pF (典型值)
- **反向恢復(fù)時間 (trr)**: 35ns (典型值)

### 三、K2556-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電池管理系統(tǒng)**  
  K2556-VB 適用于電池管理系統(tǒng)(BMS),尤其是用于鋰離子電池的保護電路。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力可以在充電和放電過程中有效減少能量損耗,幫助電池管理系統(tǒng)實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換,延長電池壽命。

2. **便攜式電子設(shè)備**  
  由于其小巧的SOP8封裝和低功耗特性,K2556-VB 非常適用于智能手機、平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的電源管理模塊。這些設(shè)備的電池壽命和散熱管理可以通過這種高效MOSFET得到優(yōu)化,減少不必要的功率損耗。

3. **電源管理模塊**  
  K2556-VB 適合應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器以及低壓電源管理模塊中。其低導(dǎo)通電阻使其能夠在負載電流較大時降低損耗,提升系統(tǒng)的整體效率,廣泛應(yīng)用于電源適配器、LED驅(qū)動器和其他功率轉(zhuǎn)換電路中。

4. **汽車電子系統(tǒng)**  
  在汽車電子系統(tǒng)中,該器件可以用于控制電子裝置和電機驅(qū)動模塊,尤其是在需要處理中等電壓和較高電流的場合。其高耐壓和低損耗特性使其適用于電動汽車和混合動力汽車中的電源控制模塊。

綜上所述,K2556-VB 是一款具有高效能、低功耗、廣泛應(yīng)用場景的MOSFET,適用于各種低電壓、高電流的應(yīng)用領(lǐng)域。

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