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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MMSF6N01HD-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): MMSF6N01HD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MMSF6N01HD-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

MMSF6N01HD-VB 是一款高性能單 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,設(shè)計(jì)用于需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。該器件具有 30V 的最大漏極-源極電壓 (V_DS),在高達(dá) 13A 的漏極電流 (I_D) 下工作,支持 ±20V 的柵極-源極電壓 (V_GS)。MMSF6N01HD-VB 采用先進(jìn)的 **Trench 技術(shù)**,在 4.5V 和 10V 的柵極電壓下分別提供 11mΩ 和 8mΩ 的導(dǎo)通電阻,使其在功率管理和開(kāi)關(guān)電路中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: MMSF6N01HD-VB  
- **封裝**: SOP8  
- **配置**: 單 N 通道  
- **最大漏極-源極電壓 (V_DS)**: 30V  
- **柵極-源極電壓 (V_GS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (V_th)**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:  
 - 11mΩ @ V_GS = 4.5V  
 - 8mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏極電流 (I_D)**: 13A  
- **技術(shù)**: Trench  

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理**: MMSF6N01HD-VB 非常適合用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**和電源開(kāi)關(guān)模塊。它能夠在轉(zhuǎn)換過(guò)程中保持高效率,降低能量損耗,使得設(shè)備在運(yùn)行時(shí)更加節(jié)能。

2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**: 該 MOSFET 可以用于負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,適用于家電、消費(fèi)電子等設(shè)備中,以確保在需要時(shí)能夠快速而高效地控制電源。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電動(dòng)機(jī)控制中,該器件可用作 H 橋電路中的低邊開(kāi)關(guān),確保電流的穩(wěn)定傳輸并提高電機(jī)的啟動(dòng)和運(yùn)行性能。

4. **LED 驅(qū)動(dòng)**: 在 LED 照明和顯示應(yīng)用中,MMSF6N01HD-VB 可用于高效的驅(qū)動(dòng)電路,確保 LED 的亮度穩(wěn)定和延長(zhǎng)使用壽命。

5. **便攜式設(shè)備**: 在移動(dòng)設(shè)備如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦中,該器件可以有效管理電源,提升電池效率和延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間。

6. **工業(yè)自動(dòng)化**: MMSF6N01HD-VB 也適用于工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的信號(hào)開(kāi)關(guān),確保系統(tǒng)的可靠性和快速響應(yīng)能力。

通過(guò)使用 MMSF6N01HD-VB,設(shè)計(jì)工程師可以在多種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效的電流控制和電源管理,提高整體系統(tǒng)的性能和可靠性。

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