chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

RU30D20H-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): RU30D20H-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RU30D20H-VB 產(chǎn)品簡介

RU30D20H-VB是一款高效能N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏極源極電壓(VDS)為30V,具備優(yōu)良的熱性能和導(dǎo)電性,適合多種電子電路應(yīng)用。RU30D20H-VB在不同柵極電壓(VGS)下表現(xiàn)出低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時(shí)僅為8mΩ,這使其能夠在各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效能和低功耗。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: RU30D20H-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單個(gè)N溝道
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

RU30D20H-VB適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,包括:

1. **電源管理**:
  - 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET能夠高效切換電源,顯著提高系統(tǒng)效率,減少功耗。

2. **消費(fèi)電子**:
  - 用于智能手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備的電源管理,提高電池利用率并延長使用時(shí)間。

3. **LED照明**:
  - 在LED驅(qū)動(dòng)電路中作為開關(guān)元件,確保高效能量傳輸和熱管理,提升照明效果和壽命。

4. **工業(yè)控制**:
  - 應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化設(shè)備中,提供穩(wěn)定的功率切換和可靠的電流控制。

5. **汽車電子**:
  - 在電動(dòng)汽車及相關(guān)應(yīng)用中,用于電池管理和動(dòng)力分配,優(yōu)化能量使用。

RU30D20H-VB以其卓越的電氣性能和廣泛的應(yīng)用范圍,為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)提供了可靠的解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    353瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    319瀏覽量