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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI4356DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: SI4356DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### SI4356DY-T1-E3-VB 產(chǎn)品簡介

**SI4356DY-T1-E3-VB** 是一款高效能 **單 N-溝道 MOSFET**,采用 **SOP8** 封裝,設(shè)計(jì)用于電力轉(zhuǎn)換和高功率應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為 **30V**,最大漏極電流(ID)為 **13A**,具有非常低的導(dǎo)通電阻,分別為 **11mΩ** @ VGS = 4.5V 和 **8mΩ** @ VGS = 10V,這使得其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,并顯著減少功率損耗。

該 MOSFET 使用 **Trench 技術(shù)**,這種技術(shù)能夠優(yōu)化電流通過路徑,提升開關(guān)速度和效率,使其非常適合高頻和高效能應(yīng)用。其柵源開啟電壓(Vth)為 **1.7V**,支持低柵驅(qū)動電壓,易于與低壓驅(qū)動電路兼容,因此特別適合用于要求高效率、低損耗和高穩(wěn)定性的電源管理應(yīng)用。

### SI4356DY-T1-E3-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單 N-溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵源開啟電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - **11mΩ** @ VGS = 4.5V
 - **8mΩ** @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)

### SI4356DY-T1-E3-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
  由于 **SI4356DY-T1-E3-VB** 具有非常低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,它特別適用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**。在電源轉(zhuǎn)換過程中,低導(dǎo)通電阻意味著較少的能量損耗,能夠顯著提高系統(tǒng)效率。它在高負(fù)載、高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合用于電源管理系統(tǒng)和電力轉(zhuǎn)換裝置中。
  - **應(yīng)用示例**:可廣泛應(yīng)用于 **電源適配器、電池供電設(shè)備、LED 驅(qū)動電源、嵌入式電源設(shè)計(jì)** 等設(shè)備,確保高效的電壓轉(zhuǎn)換和電流穩(wěn)定。

2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:
  在 **電池管理系統(tǒng)** 中,**SI4356DY-T1-E3-VB** 可以用于精確控制電池的充電和放電過程。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在電池充電和放電的過程中提供穩(wěn)定、低損耗的電流控制。它適用于需要快速切換和高效控制的電池管理系統(tǒng),確保系統(tǒng)的可靠性和效率。
  - **應(yīng)用示例**:在 **電動汽車、儲能系統(tǒng)、UPS 電源系統(tǒng)** 等應(yīng)用中,MOSFET 用于高效的電池管理,確保電池充電和放電過程的高效能和長壽命。

3. **電動驅(qū)動系統(tǒng)**:
  在 **電動驅(qū)動系統(tǒng)** 中,MOSFET 被用作電流開關(guān),控制電流的流動。在電動驅(qū)動系統(tǒng)中,尤其是電動汽車和電動工具等應(yīng)用中,**SI4356DY-T1-E3-VB** 具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點(diǎn),使其能夠高效控制電機(jī)的功率,減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率。
  - **應(yīng)用示例**:例如,在 **電動汽車、電動工具、電動機(jī)器人** 等領(lǐng)域,MOSFET 用于電動機(jī)驅(qū)動電路中,確保電動機(jī)在高效和高功率需求下正常運(yùn)轉(zhuǎn)。

4. **負(fù)載開關(guān)控制**:
  由于該 MOSFET 擁有低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特性,它非常適合用于 **負(fù)載開關(guān)控制**。當(dāng)需要精確控制負(fù)載連接和斷開時,低功率損耗是關(guān)鍵因素。**SI4356DY-T1-E3-VB** 可以應(yīng)用于各種負(fù)載開關(guān)控制模塊,減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)的能效。
  - **應(yīng)用示例**:在 **LED 照明系統(tǒng)、工業(yè)負(fù)載開關(guān)、智能電網(wǎng)** 等系統(tǒng)中,MOSFET 用于控制負(fù)載的接通與斷開,確保高效的負(fù)載管理。

5. **功率轉(zhuǎn)換與逆變器**:
  在 **功率轉(zhuǎn)換** 和 **逆變器** 應(yīng)用中,MOSFET 的低導(dǎo)通電阻使其成為理想的電流開關(guān)。特別是在 **光伏逆變器** 和 **UPS 系統(tǒng)** 等應(yīng)用中,SI4356DY-T1-E3-VB 能夠通過提供高效的電流控制和快速的開關(guān)性能,提高系統(tǒng)效率,減少能量損耗。
  - **應(yīng)用示例**:在 **太陽能逆變器、UPS 系統(tǒng)、電力轉(zhuǎn)換裝置** 中,MOSFET 用于電力轉(zhuǎn)換和電壓調(diào)節(jié),優(yōu)化系統(tǒng)能效和穩(wěn)定性。

### 總結(jié)

**SI4356DY-T1-E3-VB** 是一款具有極低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的 **N-溝道 MOSFET**,廣泛應(yīng)用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**、**電池管理系統(tǒng)(BMS)**、**電動驅(qū)動系統(tǒng)**、**負(fù)載開關(guān)控制** 和 **功率轉(zhuǎn)換與逆變器** 等領(lǐng)域。其采用 **Trench 技術(shù)**,具有快速開關(guān)特性和低功耗特點(diǎn),是現(xiàn)代高效電源系統(tǒng)和能效優(yōu)化設(shè)計(jì)中不可或缺的核心組件。

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