chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

SI4416DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): SI4416DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### SI4416DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**SI4416DY-T1-E3-VB** 是一款 **N-Channel MOSFET**,采用 **SOP8** 封裝,適用于高效電源管理、功率開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。其 **最大漏源電壓(V_DS)** 為 **30V**,最大柵源電壓(V_GS)為 **±20V**。這款 MOSFET 在 **4.5V** 和 **10V** 的柵電壓下分別具有 **低導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))**:**11mΩ** 和 **8mΩ**,并且其 **最大漏極電流(I_D)** 達(dá) **13A**。它的 **閾值電壓(V_th)** 為 **1.7V**,意味著該 MOSFET 在較低的柵電壓下即可開(kāi)始導(dǎo)通,從而提高效率并降低能量損失。

采用 **Trench** 技術(shù)制造,**SI4416DY-T1-E3-VB** 特別適合應(yīng)用于要求高效率、低功率損耗、快速開(kāi)關(guān)的電子電路中,如 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**、**電池管理系統(tǒng)**、以及 **電源開(kāi)關(guān)**。其高電流處理能力使得它能夠承受較大的負(fù)載并保持優(yōu)異的熱性能。

### SI4416DY-T1-E3-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| **參數(shù)**                | **說(shuō)明**                                           |
|-------------------------|----------------------------------------------------|
| **封裝**                 | SOP8                                               |
| **配置**                 | 單個(gè) N-Channel MOSFET                              |
| **漏源電壓(V_DS)**      | 30V                                                |
| **柵源電壓(V_GS)**     | ±20V                                               |
| **閾值電壓(V_th)**     | 1.7V                                               |
| **導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))** | 11mΩ(V_GS = 4.5V)
8mΩ(V_GS = 10V)           |
| **漏極電流(I_D)**      | 13A                                                |
| **技術(shù)**                 | Trench(溝槽型技術(shù))                               |

### SI4416DY-T1-E3-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

**1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
  - **SI4416DY-T1-E3-VB** 適用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**,特別是 **降壓轉(zhuǎn)換器**(Buck Converter)和 **升壓轉(zhuǎn)換器**(Boost Converter)。該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))使得它能有效地減少功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,如便攜式電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)電源等。

**2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)**
  - 在 **電池管理系統(tǒng)**(BMS)中,該 MOSFET 可用于電池的 **充放電控制** 和 **電池保護(hù)**,有效優(yōu)化電池的使用效率和壽命。由于其低導(dǎo)通電阻,能夠有效減少在電池充電和放電過(guò)程中產(chǎn)生的能量損失,并提高系統(tǒng)的可靠性。

**3. 電源開(kāi)關(guān)**
  - **SI4416DY-T1-E3-VB** 可用于電源開(kāi)關(guān)和 **電源分配單元(PDU)** 中。其低R_DS(ON)特性使得它在高電流情況下工作時(shí),能保持較低的熱損失,幫助提高電源的整體效率。

**4. 電動(dòng)工具和驅(qū)動(dòng)電路**
  - 在 **電動(dòng)工具** 和其他 **電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)** 中,該 MOSFET 可以作為高效的電源開(kāi)關(guān),控制電動(dòng)機(jī)的啟停。它能夠承受較大的電流負(fù)載,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能,適用于電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)等設(shè)備的驅(qū)動(dòng)控制。

**5. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)和新能源應(yīng)用**
  - **SI4416DY-T1-E3-VB** 也適用于 **電動(dòng)汽車(chē)**(EV)和其他 **新能源電池系統(tǒng)**。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想選擇,用于電動(dòng)汽車(chē)的電池管理和功率控制系統(tǒng),提高系統(tǒng)效率,減少功率損耗。

**6. 逆變器和太陽(yáng)能電源**
  - 在 **逆變器** 和 **太陽(yáng)能電源** 系統(tǒng)中,**SI4416DY-T1-E3-VB** 可用于 **DC-AC 轉(zhuǎn)換**,將太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。由于其低導(dǎo)通電阻,能夠有效提高光伏系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性,特別是在大功率光伏逆變器和電網(wǎng)接入應(yīng)用中。

### 總結(jié)

**SI4416DY-T1-E3-VB** 是一款具有 **低導(dǎo)通電阻** 和 **高電流承載能力** 的 **N-Channel MOSFET**,廣泛應(yīng)用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**、**電池管理系統(tǒng)**、**電源開(kāi)關(guān)**、**電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**、**電動(dòng)汽車(chē)電源管理** 和 **光伏逆變器** 等高效電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低能量損耗使其成為各種功率管理和高效能電源系統(tǒng)的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    339瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    312瀏覽量