--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### SI4778DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**SI4778DY-T1-E3-VB** 是一款高性能、低導(dǎo)通電阻的單N型通道MOSFET,封裝采用SOP8。該MOSFET的漏極源極電壓(VDS)為30V,柵極源極電壓(VGS)最大為±20V,具有低柵極閾值電壓(Vth = 1.7V),并且采用Trench技術(shù)。其最大漏極電流(ID)為13A,適合高負(fù)載應(yīng)用,且提供極低的導(dǎo)通電阻,尤其在VGS = 4.5V時(shí)為11mΩ,VGS = 10V時(shí)為8mΩ。其低RDS(ON)特點(diǎn)能夠有效降低功率損耗,并且提供高效的電流控制,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。
### SI4778DY-T1-E3-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**:SI4778DY-T1-E3-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:?jiǎn)蜰型通道
- **VDS**:30V(漏極到源極電壓)
- **VGS**:±20V(柵極到源極電壓)
- **Vth**:1.7V(柵極閾值電壓)
- **RDS(ON)**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID**:13A(最大漏極電流)
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **符合標(biāo)準(zhǔn)**:ROHS符合性
- **典型應(yīng)用**:電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換、無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等
### SI4778DY-T1-E3-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
1. **電源管理系統(tǒng)**
由于其低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),SI4778DY-T1-E3-VB MOSFET 在電源管理系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,尤其是在高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器中。它能夠提供穩(wěn)定的電流控制,減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。這使得它特別適合用于高頻率、高功率應(yīng)用,例如用于嵌入式電源管理、計(jì)算機(jī)電源模塊以及通信系統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)。
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,SI4778DY-T1-E3-VB MOSFET 提供了優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和低功率損耗,幫助提升轉(zhuǎn)換效率。無(wú)論是用于電池供電的設(shè)備(如移動(dòng)設(shè)備、便攜式設(shè)備)還是固定電源系統(tǒng)(如汽車(chē)電源、太陽(yáng)能電池板),其低RDS(ON) 特性都能夠有效地提高電源轉(zhuǎn)換效率。
3. **無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動(dòng)**
在無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,SI4778DY-T1-E3-VB MOSFET 是理想的選擇。其高電流承載能力(13A)和低導(dǎo)通電阻可以保證高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng),減少熱損失并延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。它廣泛應(yīng)用于機(jī)器人、家電、電動(dòng)工具、自動(dòng)化設(shè)備等需要高效驅(qū)動(dòng)的場(chǎng)合。
4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,SI4778DY-T1-E3-VB MOSFET 用于提供精確的電流控制和開(kāi)關(guān)操作,確保電池的安全充放電。這款MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)、便攜式儲(chǔ)能設(shè)備、電池組管理系統(tǒng)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠提高電池利用效率,保證電池在不同工作條件下的穩(wěn)定性和安全性。
5. **負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用**
SI4778DY-T1-E3-VB MOSFET 的高電流承載能力使其成為負(fù)載開(kāi)關(guān)中的理想選擇。在自動(dòng)化系統(tǒng)、工業(yè)控制系統(tǒng)、汽車(chē)電源管理系統(tǒng)等領(lǐng)域,MOSFET用于快速切換負(fù)載,能夠精確地控制電流傳輸,并減少開(kāi)關(guān)損耗,從而提高系統(tǒng)的整體效率。
**總結(jié)**
**SI4778DY-T1-E3-VB** 是一款低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力的單N型MOSFET,特別適用于高效能電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理等應(yīng)用領(lǐng)域。其低RDS(ON) 和高電流容量使其成為高頻率、大功率應(yīng)用中優(yōu)選的開(kāi)關(guān)元件,可以有效提高系統(tǒng)的整體效率并減少能量損失。
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