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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI4812DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): SI4812DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### **Si4812DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**

Si4812DY-T1-E3-VB 是一款采用 **SOP8 封裝** 的 **單 N 溝道 MOSFET**,專為需要低導(dǎo)通電阻、高效率和高電流承載能力的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件具有 **30V 的漏源電壓(VDS)** 和 **13A 的最大漏電流(ID)**,可廣泛應(yīng)用于高效能電源系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)電路及各類功率管理系統(tǒng)。

該 MOSFET 具有 **VGS** 范圍為 **±20V**,其 **閾值電壓(Vth)** 為 **1.7V**,使其能夠在低電壓下迅速啟動(dòng),并且具有較低的 **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**。在 **VGS = 4.5V 時(shí)為 11mΩ**,而在 **VGS = 10V 時(shí)為 8mΩ**,這為其提供了較低的導(dǎo)通損耗,有助于提高系統(tǒng)的整體效率,并降低溫升。采用 **Trench 技術(shù)**,使其具有較高的開關(guān)速度和良好的熱管理特性,是許多高效電源和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想選擇。

### **詳細(xì)參數(shù)說明**

| **參數(shù)**                | **值**                                          |
|-------------------------|-------------------------------------------------|
| **封裝類型**            | SOP8                                            |
| **配置**                | 單 N 溝道                                        |
| **漏源電壓(VDS)**      | 30V                                             |
| **柵源電壓(VGS)**      | ±20V                                            |
| **閾值電壓(Vth)**      | 1.7V                                            |
| **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**    | 11mΩ @ VGS=4.5V;8mΩ @ VGS=10V                  |
| **最大漏電流(ID)**     | 13A                                             |
| **開關(guān)速度**            | 高速開關(guān)特性                                    |
| **技術(shù)**                | Trench 技術(shù)                                      |

### **應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**

**1. 電源管理系統(tǒng)**
- **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:Si4812DY-T1-E3-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 中非常高效。它能夠有效地將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓,特別適用于 **便攜式設(shè)備**、**智能電源模塊** 和 **工業(yè)電源** 系統(tǒng)。其低損耗特性使其在高效能電源設(shè)計(jì)中得到了廣泛應(yīng)用。
- **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在 **電池管理系統(tǒng)** 中,Si4812DY-T1-E3-VB 能夠優(yōu)化電池的充電和放電效率,減少電池在使用過程中的能量損失,延長(zhǎng)電池壽命,適合 **電動(dòng)工具** 和 **電動(dòng)交通工具** 等需要高效電池管理的應(yīng)用。

**2. 電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**
- **電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)**:該 MOSFET 由于具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于 **電動(dòng)工具**(如電鉆、起子和電鋸等)的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其低能耗和高效率能夠提高電動(dòng)工具的性能并延長(zhǎng)使用壽命。
- **電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:Si4812DY-T1-E3-VB 還廣泛應(yīng)用于 **電動(dòng)汽車** 的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,優(yōu)化電能轉(zhuǎn)換和電動(dòng)機(jī)控制,提高電動(dòng)汽車的性能和續(xù)航里程。

**3. 高頻開關(guān)電源**
- **同步整流電源**:Si4812DY-T1-E3-VB 的低導(dǎo)通電阻使其非常適合用作 **同步整流電源** 的開關(guān)元件。在 **AC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 等模塊中,它能夠顯著提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失,并且在開關(guān)速度上具有優(yōu)勢(shì),適用于要求高效率和高頻操作的電源設(shè)計(jì)。
- **LED 驅(qū)動(dòng)電源**:該 MOSFET 可在 **LED 驅(qū)動(dòng)電源** 中作為開關(guān)元件,幫助提升整體系統(tǒng)的效率,特別是在 **高功率 LED 照明** 和 **智能照明系統(tǒng)** 中,具有良好的應(yīng)用前景。

**4. 消費(fèi)電子**
- **便攜式設(shè)備和智能手機(jī)**:由于其超低導(dǎo)通電阻和高效能,Si4812DY-T1-E3-VB 可用于 **智能手機(jī)**、**平板電腦** 和 **可穿戴設(shè)備** 等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊,幫助提升電池效率,減少能量損失,延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。
- **移動(dòng)電源(充電寶)**:Si4812DY-T1-E3-VB 的高效率也使其成為 **移動(dòng)電源** 中的理想選擇。在 **充電寶** 中應(yīng)用該 MOSFET,可以提供快速充電并提高電池利用率,特別是在需要支持 **快速充電技術(shù)** 的便攜式電池組中。

**5. 無線通信**
- **無線設(shè)備電源管理**:Si4812DY-T1-E3-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,適用于 **無線通信設(shè)備** 的電源管理模塊,如 **Wi-Fi 路由器**、**藍(lán)牙設(shè)備** 和 **無線音響** 等。其高效的電源管理特性可確保設(shè)備在高負(fù)載條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)行,同時(shí)提高功率轉(zhuǎn)換效率。

### **總結(jié)**

Si4812DY-T1-E3-VB 是一款 **30V** 漏源電壓、**13A** 最大漏電流的 **單 N 溝道 MOSFET**,其 **低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 8mΩ)** 和 **Trench 技術(shù)** 使其成為高效電源管理、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和各種消費(fèi)電子產(chǎn)品中非常理想的選擇。該 MOSFET 適用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**、**電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**、**電池管理系統(tǒng)**、**同步整流電源**、**LED 驅(qū)動(dòng)電源** 以及各類消費(fèi)電子設(shè)備和無線通信系統(tǒng)。其高效的電流傳導(dǎo)能力和快速開關(guān)性能使其在多種高效能應(yīng)用中得到廣泛使用,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減少熱損耗。

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