chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

SI4832BDY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): SI4832BDY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### SI4832BDY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

SI4832BDY-T1-E3-VB 是一款 **N通道** MOSFET,采用 **SOP8** 封裝,采用 **Trench** 技術(shù),專為低電壓高效率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 具有 **VDS** 最大值 **30V**,柵源電壓(**VGS**)最大為 **±20V**,適用于電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)等多種低電壓、高電流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其 **閾值電壓(Vth)** 為 **1.7V**,在 **VGS = 4.5V** 時(shí)導(dǎo)通電阻為 **11mΩ**,而在 **VGS = 10V** 時(shí)為 **8mΩ**,確保具有優(yōu)異的功率效率。該 MOSFET 的最大漏極電流為 **13A**,廣泛應(yīng)用于電池驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換和電池管理等領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:SI4832BDY-T1-E3-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:?jiǎn)蜰通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - **VGS = 4.5V**:11mΩ
 - **VGS = 10V**:8mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 到 +150°C

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
  - SI4832BDY-T1-E3-VB 適用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 中的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,特別是在要求高效、高電流的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。由于其低 **RDS(ON)**,它可以顯著減少開(kāi)關(guān)損耗,提升轉(zhuǎn)換效率。因此,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、電動(dòng)工具、LED驅(qū)動(dòng)和高效電源模塊等電池供電系統(tǒng)中,保證高效能的電力轉(zhuǎn)換。

2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**
  - 在 **負(fù)載開(kāi)關(guān)** 應(yīng)用中,SI4832BDY-T1-E3-VB 可以有效地作為電源切換開(kāi)關(guān),尤其是在 **電池供電的系統(tǒng)** 和 **低功耗設(shè)備** 中。它的低導(dǎo)通電阻能夠在高效開(kāi)關(guān)過(guò)程中減少功率損耗和發(fā)熱,適合智能手機(jī)、平板電腦、電動(dòng)工具等設(shè)備的電源管理,延長(zhǎng)設(shè)備的電池壽命。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
  - 在 **電池管理系統(tǒng)(BMS)** 中,SI4832BDY-T1-E3-VB 能夠在充電和放電過(guò)程中提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)操作。其高電流能力和低開(kāi)關(guān)損耗使其特別適用于 **電動(dòng)汽車(EV)** 和 **電動(dòng)工具** 等電池驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),幫助確保電池的安全、健康和高效工作,同時(shí)延長(zhǎng)電池壽命并提升整個(gè)系統(tǒng)的能效。

4. **電源管理 IC**
  - SI4832BDY-T1-E3-VB 也適用于 **電源管理 IC**,尤其是在 **穩(wěn)壓電源模塊、功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)** 和 **電池電源管理** 等應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻可以提供更高效的電源控制,適用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品,如 **可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)、筆記本電腦** 等,保證設(shè)備的高效能和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。

5. **汽車電子**
  - SI4832BDY-T1-E3-VB 可用于 **汽車電子** 中的電源管理和電力分配模塊,尤其是在 **電動(dòng)汽車(EV)** 和 **混合動(dòng)力汽車(HEV)** 的 **電池管理系統(tǒng)** 中。該MOSFET提供低損耗、高效的電流控制,幫助優(yōu)化電池的充電和放電過(guò)程,提升車輛整體的電能效率和性能。

6. **智能電表與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備**
  - 在 **智能電表** 和 **物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備** 中,SI4832BDY-T1-E3-VB 具有極低的功耗和高效能,適用于遠(yuǎn)程控制和能源管理應(yīng)用。通過(guò)其低導(dǎo)通電阻,可以有效地實(shí)現(xiàn)電流切換和監(jiān)測(cè),廣泛應(yīng)用于智能電表、電流傳感器和其他無(wú)線傳輸設(shè)備中,提供高效、可靠的電源管理,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

綜上所述,SI4832BDY-T1-E3-VB MOSFET 以其低導(dǎo)通電阻、高電流能力和高效開(kāi)關(guān)特性,廣泛適用于電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理、汽車電子以及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域,為用戶提供高效、穩(wěn)定的電流控制和電源管理解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    339瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    312瀏覽量