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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4832DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: SI4832DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### SI4832DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

SI4832DY-T1-E3-VB 是一款高效的單 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低功耗應用設計。該器件具有 30V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),非常適合用于電源管理、負載開關及其他中低電壓系統(tǒng)。它采用 Trench 技術,具有極低的導通電阻(RDS(ON)),在 VGS 為 4.5V 時,導通電阻為 11mΩ;在 VGS 為 10V 時,導通電阻為 8mΩ,確保了低功率損耗和高效的電流傳輸。其最大漏極電流為 13A,適用于電源管理、電池保護、DC-DC 轉換器等高效能開關應用。

### SI4832DY-T1-E3-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

| **參數(shù)**                | **說明**                                            |
|-------------------------|-----------------------------------------------------|
| **封裝**                | SOP8                                                |
| **配置**                | 單 N 通道 MOSFET(Single-N-Channel)                |
| **漏源電壓(VDS)**      | 30V                                                 |
| **柵源電壓(VGS)**      | ±20V                                                |
| **開啟電壓(Vth)**      | 1.7V                                                |
| **導通電阻(RDS(ON))**  | 11mΩ(VGS=4.5V);8mΩ(VGS=10V)                    |
| **漏極電流(ID)**       | 13A                                                 |
| **最大功率損耗**         | 30W                                                 |
| **工作溫度范圍**         | -55°C 到 +150°C                                     |
| **技術**                | Trench 技術                                          |
| **應用方向**            | 電源管理、DC-DC 轉換器、負載開關、汽車電源等      |

### SI4832DY-T1-E3-VB 應用領域與模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**
  SI4832DY-T1-E3-VB 適用于低電壓電源管理系統(tǒng),尤其是在消費電子、LED 驅動電源、計算機電源等領域。其低導通電阻和高電流承載能力使其成為高效電源轉換的理想選擇,可以減少系統(tǒng)能量損耗,延長設備的電池使用時間,同時提高整體能效。

2. **DC-DC 轉換器**
  由于其高效開關特性,SI4832DY-T1-E3-VB 非常適用于 DC-DC 轉換器。在便攜式設備、通信設備和汽車電源系統(tǒng)中,SI4832DY-T1-E3-VB 可用于高效的電壓轉換和電池供電管理,確保在不同電流負載下的穩(wěn)定輸出,提高系統(tǒng)的能源利用率。

3. **負載開關**
  在負載開關應用中,SI4832DY-T1-E3-VB 的低導通電阻可以有效降低系統(tǒng)的功率損耗,適用于高效能的負載控制開關應用。例如,在家電設備、工業(yè)自動化系統(tǒng)中,它能夠可靠地切換負載電流,并保護電路免受過流影響。

4. **汽車電源管理**
  SI4832DY-T1-E3-VB 在汽車電源管理中同樣有重要應用,特別是在電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)中。通過其高效率和低導通電阻,SI4832DY-T1-E3-VB 能夠在電池充放電過程中減少能量損耗,優(yōu)化電池使用效率,提高電動汽車的續(xù)航里程和性能。

5. **電池保護系統(tǒng)**
  在電池管理和保護系統(tǒng)中,SI4832DY-T1-E3-VB 提供了必要的開關功能,幫助管理電池的充電和放電過程。這款 MOSFET 可以用來保護電池免受過電壓、過電流及短路等電氣故障的影響,在便攜式設備、電動工具、電動汽車等領域中都能發(fā)揮重要作用。

6. **通信設備**
  在無線通信和網(wǎng)絡設備中,SI4832DY-T1-E3-VB 主要應用于電源管理模塊、穩(wěn)壓轉換器以及電源開關。它可確保通信設備在不同負載和電壓條件下提供穩(wěn)定電流,特別適用于路由器、交換機等高效能要求的通信設備。

### 總結

SI4832DY-T1-E3-VB 是一款高效、低功耗的單 N 通道 MOSFET,適用于廣泛的電源管理、DC-DC 轉換、負載開關和電池保護應用。憑借其低導通電阻(RDS(ON))、高電流承載能力和高效的開關性能,這款 MOSFET 在提升系統(tǒng)能效、減少功率損耗方面具有顯著優(yōu)勢。無論是在消費電子、通信設備、汽車電源系統(tǒng)還是工業(yè)自動化中,SI4832DY-T1-E3-VB 都能提供可靠的性能支持,滿足現(xiàn)代電子系統(tǒng)對高效、穩(wěn)定的電源管理需求。

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