### **SI9804DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**

SI9804DY-T1-E3-VB 是一款單 N 通道 MOSFET，采用 Trench 技術(shù)，封裝為 SOP8。該產(chǎn)品的最大漏源電壓（VDS）為 30V，適用于中等電壓的開關(guān)電源和負(fù)載控制應(yīng)用。其柵源電壓（VGS）最大為 ±20V，柵極閾值電壓（Vth）為 1.7V，適合低柵電壓驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。SI9804DY-T1-E3-VB 的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在 VGS = 4.5V 時(shí)為 11mΩ，在 VGS = 10V 時(shí)為 8mΩ，這些特性使得該 MOSFET 能夠有效減少能量損耗并提高電源系統(tǒng)效率。其最大漏極電流（ID）為 13A，能夠滿足高效電源轉(zhuǎn)換和大電流負(fù)載開關(guān)的需求。

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### **SI9804DY-T1-E3-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明**

- **型號**: SI9804DY-T1-E3-VB  
- **封裝**: SOP8  
- **配置**: 單 N 通道  
- **漏源電壓（VDS）**: 30V  
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V  
- **柵極閾值電壓（Vth）**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流（ID）**: 13A  
- **技術(shù)**: Trench  
- **最大功率耗散**: 2W（典型值，實(shí)際功率取決于工作條件和散熱能力）
- **輸入電容（Ciss）**: 1500pF（典型值）
- **輸出電容（Coss）**: 450pF（典型值）
- **反向傳輸電容（Crss）**: 50pF（典型值）
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C  
- **總柵極電荷（Qg）**: 20nC（典型值）

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### **SI9804DY-T1-E3-VB MOSFET 適用領(lǐng)域和模塊示例**

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
  SI9804DY-T1-E3-VB 可作為 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件，用于高效的電壓轉(zhuǎn)換。在此類應(yīng)用中，低 RDS(ON) 帶來的導(dǎo)通損耗較低，有助于提高轉(zhuǎn)換效率，并減少功率損耗。適合用于低功率的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，如為便攜式設(shè)備、通信模塊等提供電力的電源管理系統(tǒng)。

2. **負(fù)載開關(guān)應(yīng)用**
  在負(fù)載開關(guān)電路中，SI9804DY-T1-E3-VB 可作為高效開關(guān)元件，用于控制電源向負(fù)載的供應(yīng)。其低 RDS(ON) 值使得它非常適合用于需要大電流切換的應(yīng)用場景，如工業(yè)設(shè)備、家電產(chǎn)品和電池供電系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。

3. **電池保護(hù)電路**
  在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，SI9804DY-T1-E3-VB 可以用于電池的充放電保護(hù)。該 MOSFET 的高效率使其成為電池保護(hù)電路中的理想選擇。通過其低導(dǎo)通電阻和快速響應(yīng)速度，它能夠有效地防止電池過放和過充，并提供準(zhǔn)確的電流控制。

4. **LED 驅(qū)動(dòng)電源**
  SI9804DY-T1-E3-VB 可以在 LED 驅(qū)動(dòng)電源中作為開關(guān)元件，提供高效的功率轉(zhuǎn)換。LED 驅(qū)動(dòng)電源通常要求高效且可靠的電流調(diào)節(jié)，以保持 LED 照明的一致性和長壽命。SI9804DY-T1-E3-VB 的低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的性能使其成為 LED 電源系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。

5. **電源適配器**
  在電源適配器中，SI9804DY-T1-E3-VB 可以作為開關(guān)管進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換，尤其適用于低壓適配器，如手機(jī)充電器和其他小型消費(fèi)電子設(shè)備的電源適配器。其高效能和低損耗特性使得電源適配器具有更長的使用壽命和更高的能源轉(zhuǎn)換效率。

6. **汽車電池管理**
  在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)（BMS）中，SI9804DY-T1-E3-VB 可以作為電池保護(hù)電路的一部分，通過高效的電流開關(guān)確保電池安全并提高系統(tǒng)效率。MOSFET 的低導(dǎo)通電阻有助于減少系統(tǒng)中的熱損失，并提高電池的充電和放電效率。

7. **功率放大器和開關(guān)電源**
  在高效的功率放大器和開關(guān)電源中，SI9804DY-T1-E3-VB 可以作為電源管理模塊中的關(guān)鍵開關(guān)元件。它適用于需要大電流開關(guān)和高效率的系統(tǒng)，如無線通信基站、計(jì)算機(jī)電源和射頻放大器等。

8. **通信設(shè)備中的電源管理**
  在通信設(shè)備中，SI9804DY-T1-E3-VB 可用于電源管理電路，以提供穩(wěn)定和高效的電力供應(yīng)。由于其低 RDS(ON)，它能夠高效地進(jìn)行電流切換，確保通信設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和較低的功率損耗。

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### 總結(jié)

SI9804DY-T1-E3-VB 是一款高效、低導(dǎo)通電阻的 N 通道 MOSFET，適用于中等電壓范圍的應(yīng)用。其廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路、LED 驅(qū)動(dòng)電源、電源適配器、汽車電池管理、功率放大器等領(lǐng)域。由于其低 RDS(ON) 和較高的電流承載能力，該 MOSFET 是高效電源管理和負(fù)載控制系統(tǒng)中的理想選擇。