--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
SS238-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單極 N 通道 MOSFET,專為低電壓和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì),最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)為 ±20V,能夠在高頻率和高電流條件下保持低損耗。其在 VGS = 10V 時(shí)具有非常低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 8mΩ),能夠高效傳輸電流,并減少能量損耗。SS238-VB 在最大漏極電流為 13A 的條件下,依然能夠保證良好的熱管理和高效的電流控制。采用 Trench 技術(shù),SS238-VB 提供了優(yōu)異的開關(guān)性能,適用于多種需要高效能和低功耗的應(yīng)用場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **型號(hào)**: SS238-VB
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 11mΩ(在 VGS = 4.5V 時(shí))
- 8mΩ(在 VGS = 10V 時(shí))
- **最大漏極電流(ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)
- **最大功率損耗**: 優(yōu)化的低導(dǎo)通電阻特性,有效降低功率損耗和熱量積累。
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**
SS238-VB 在電源管理系統(tǒng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)卓越。其低導(dǎo)通電阻使得它在高電流應(yīng)用中仍能保持高效能,特別適用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如計(jì)算機(jī)電源、LED驅(qū)動(dòng)、充電器、電池管理等,能夠有效減少能量損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率。
2. **負(fù)載開關(guān)與電池保護(hù)**
該 MOSFET 適用于便攜式電子設(shè)備的負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)電路。其低導(dǎo)通電阻能夠減少電池充放電過程中的損耗,提高電池管理系統(tǒng)的效率,特別適合電池驅(qū)動(dòng)的設(shè)備,如智能手機(jī)、便攜式電源設(shè)備等。
3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)與電動(dòng)汽車應(yīng)用**
SS238-VB 在電池管理系統(tǒng)(BMS)中具有重要應(yīng)用,尤其適用于電動(dòng)汽車(EV)及其充電系統(tǒng)。低導(dǎo)通電阻特性減少了電池充放電過程中的熱量積累和能量損失,提高了整體系統(tǒng)的效率和電池使用壽命。
4. **智能家居與自動(dòng)化設(shè)備**
在智能家居系統(tǒng)和自動(dòng)化設(shè)備中,SS238-VB 用于電源控制、智能開關(guān)和傳感器模塊,能夠提供穩(wěn)定的電流供應(yīng)并確保高效的電源管理,尤其適合用于需要節(jié)能和長時(shí)間運(yùn)行的設(shè)備,如無線傳感器、智能燈具等。
5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**
SS238-VB 適用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品,如平板電腦、智能手表、藍(lán)牙音響等,其高效的開關(guān)性能和低功耗特性能夠延長設(shè)備的電池使用壽命,提高用戶體驗(yàn)。
6. **小型家電與照明系統(tǒng)**
該 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于小型家電、LED 照明系統(tǒng)中,特別是需要高電流開關(guān)控制和低功耗的設(shè)備。由于其低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)特性,它非常適合用于LED照明驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具和其他小型家電中。
7. **無線通信設(shè)備與射頻應(yīng)用**
SS238-VB 也適用于無線通信設(shè)備、射頻(RF)模塊及其他高頻應(yīng)用中,能夠提供穩(wěn)定的功率開關(guān)特性。其低導(dǎo)通電阻減少了系統(tǒng)中的能量損耗,廣泛應(yīng)用于基站、射頻放大器和其他射頻信號(hào)處理模塊。
通過其優(yōu)異的開關(guān)性能和低功率損耗,SS238-VB 成為低電壓和高電流應(yīng)用中理想的選擇,特別適用于電源管理、負(fù)載控制、電池保護(hù)及高效能電源模塊等多個(gè)領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛