--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**TM4884S-VB** 是一款 **N 型單極場效應(yīng)管 (MOSFET)**,采用 **SOP8** 封裝,專為高效開關(guān)和負載控制應(yīng)用設(shè)計。它具有 **30V** 的最大漏極源電壓 (**VDS**) 和 **13A** 的最大漏極電流 (**ID**),適用于低電壓電源和信號開關(guān)的應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻 **RDS(ON)** 在 **VGS=10V** 時為 **8mΩ**,能夠提供較低的功率損耗,并確保電路的高效運行。采用 **Trench** 技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)效率,特別適合于高頻率、高效能的電源和電流控制應(yīng)用。
---
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單極 N 型
- **最大漏極源電壓 (VDS)**:**30V**
- **柵極源電壓 (VGS)**:**±20V**
- **閾值電壓 (Vth)**:**1.7V**
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- **11mΩ**(在 **VGS=4.5V** 時)
- **8mΩ**(在 **VGS=10V** 時)
- **最大漏極電流 (ID)**:**13A**
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽型)
- **最大功率損耗**:依據(jù)工作條件計算
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **最大源漏電流**:**13A**
---
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理與開關(guān)電源(Power Management and Switching Power Supplies)**
**TM4884S-VB** 由于其低導(dǎo)通電阻(**RDS(ON)**),使其成為高效 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**、**電源適配器** 和 **負載開關(guān)** 中的理想選擇。特別適合于用于 **電源管理模塊** 中,提供穩(wěn)定的電流控制和高效能的電源轉(zhuǎn)換。它能夠降低電源轉(zhuǎn)換過程中的功率損耗,提高系統(tǒng)的總體效率。
2. **電池管理系統(tǒng)(Battery Management Systems, BMS)**
在 **電池管理系統(tǒng)** 中,**TM4884S-VB** 常用于 **電池保護**、**電池充電** 和 **電池放電** 控制電路。由于其低導(dǎo)通電阻,它能夠在高電流負載下保持較低的功率損耗,幫助管理電池的充電與放電過程,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和電池的長壽命。廣泛應(yīng)用于 **便攜式設(shè)備** 和 **電動工具** 等領(lǐng)域。
3. **負載開關(guān)(Load Switching)**
該 MOSFET 適用于 **負載開關(guān)** 應(yīng)用,能夠在控制電壓和負載之間進行高效的開關(guān)操作。在 **智能家居設(shè)備**、**LED 燈控系統(tǒng)** 和 **工業(yè)自動化** 中,TM4884S-VB 提供穩(wěn)定且高效的負載控制。其低 **RDS(ON)** 特性有助于降低功耗,并提高開關(guān)效率,減少熱量產(chǎn)生。
4. **小型電動工具和家電控制(Small Electric Tools and Home Appliances Control)**
由于其較低的開關(guān)損耗和高效率,**TM4884S-VB** 適合用于 **小型電動工具**、**家用電器** 的開關(guān)控制模塊。其能夠有效地控制電動工具中的電流,提升設(shè)備的啟動和運行效率,確保設(shè)備的高效能和穩(wěn)定性。
5. **傳感器接口和模擬信號開關(guān)(Sensor Interface and Analog Signal Switching)**
在 **傳感器接口** 或 **模擬信號開關(guān)** 應(yīng)用中,**TM4884S-VB** 能夠提供優(yōu)異的開關(guān)性能,低電阻和快速響應(yīng)的特性使其能夠有效處理模擬信號,廣泛應(yīng)用于 **音頻設(shè)備**、**傳感器信號處理** 和 **視頻信號開關(guān)** 等領(lǐng)域。該 MOSFET 在高頻應(yīng)用中能夠保證信號的穩(wěn)定傳輸和低失真。
6. **電動驅(qū)動系統(tǒng)(Electric Drive Systems)**
在電動驅(qū)動系統(tǒng)中,如 **電動汽車** 和 **電動工具驅(qū)動** 中,**TM4884S-VB** 常用于 **電機驅(qū)動** 系統(tǒng)的開關(guān)控制。由于其低導(dǎo)通電阻和較高的漏極電流處理能力,它能夠高效地調(diào)節(jié)電流,控制電機轉(zhuǎn)速,并提高系統(tǒng)的能效,確保驅(qū)動系統(tǒng)穩(wěn)定運行。
---
總結(jié)來說,**TM4884S-VB** 作為一款 **低導(dǎo)通電阻**、**高電流承載能力** 的 **N 型 MOSFET**,非常適合用于 **電源管理、負載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)、智能家居、模擬信號開關(guān)、以及電動驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域**。它能夠提供高效的電流控制,降低功率損失,提高電路的整體效率,廣泛應(yīng)用于各種低電壓、高頻率和高效能的開關(guān)應(yīng)用中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12