--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:TM7822S FS-VB
TM7822S FS-VB 是一款高性能、低導(dǎo)通電阻的 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為高效能、小尺寸的功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有 30V 的漏源耐壓(V_DS)和最大漏極電流 13A,適用于多種低電壓、高效能的應(yīng)用場景。采用 Trench 技術(shù),TM7822S FS-VB 在 V_GS = 4.5V 時(shí)的導(dǎo)通電阻為 11mΩ,在 V_GS = 10V 時(shí)為 8mΩ,確保能夠提供卓越的功率效率和低功率損耗。其閾值電壓(V_th)為 1.7V,使其在低電壓條件下也能可靠工作,適用于各種消費(fèi)電子、功率管理和開關(guān)控制應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明:
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|--------------------------|------------------------------------|
| **型號(hào)** | TM7822S FS-VB |
| **封裝** | SOP8 |
| **配置** | 單一 N 通道 MOSFET |
| **漏極-源極耐壓 (V_DS)** | 30V |
| **柵極-源極電壓 (V_GS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (V_th)** | 1.7V |
| **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))** | 11mΩ @ V_GS = 4.5V |
| **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))** | 8mΩ @ V_GS = 10V |
| **最大漏極電流 (I_D)** | 13A |
| **技術(shù)** | Trench |
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **消費(fèi)電子設(shè)備**:
TM7822S FS-VB 由于其超低導(dǎo)通電阻和高效率,特別適合于消費(fèi)電子領(lǐng)域的電源管理和開關(guān)控制。例如,在智能手機(jī)、平板電腦和便攜式音響等設(shè)備中,它可以作為電池管理系統(tǒng)(BMS)的開關(guān)元件,以減少能量損耗并提升電池使用壽命。
2. **LED 驅(qū)動(dòng)電源**:
由于其低 R_DS(ON) 和高效率,TM7822S FS-VB 也廣泛應(yīng)用于 LED 驅(qū)動(dòng)電源中,能夠驅(qū)動(dòng)高效的 LED 照明系統(tǒng)。無論是家庭照明、商業(yè)照明,還是汽車 LED 照明應(yīng)用,它都能有效降低熱損耗,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和光效。
3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,TM7822S FS-VB 作為高效的開關(guān)元件,能夠減少轉(zhuǎn)換過程中的功率損耗。其低導(dǎo)通電阻使其非常適合于用于高效率的電壓轉(zhuǎn)換,適用于便攜設(shè)備、智能家居、通信設(shè)備中的電源模塊。無論是降壓還是升壓應(yīng)用,TM7822S FS-VB 都能提供穩(wěn)定的電流支持。
4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:
在電池管理系統(tǒng)中,TM7822S FS-VB 能夠提供精確的電流控制和高效的開關(guān)性能,適合于智能電池充電器、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(e-bike)等設(shè)備。它幫助優(yōu)化電池充放電過程,提高充電效率并減少熱損失。
5. **開關(guān)電源(SMPS)**:
TM7822S FS-VB 在開關(guān)電源(SMPS)中作為核心開關(guān)元件,能夠高效處理功率并減少不必要的熱量生成。尤其適用于高效的電源適配器、通訊電源模塊等場合,保證設(shè)備在負(fù)載變化時(shí)仍能穩(wěn)定高效地工作。
6. **汽車電子**:
該 MOSFET 由于其高電流能力(13A)和低 R_DS(ON) 特性,適合用于汽車電子中的電源管理系統(tǒng),例如車載充電器、LED 照明控制系統(tǒng)及電動(dòng)座椅調(diào)節(jié)器等應(yīng)用。它能夠承受汽車電氣系統(tǒng)中的高電流并確保長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
7. **無線充電技術(shù)**:
TM7822S FS-VB 也非常適合用于無線充電技術(shù)中。在無線充電器的功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)電路中,該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻可以減少能量損耗,提高整體充電效率,特別是在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備及其他移動(dòng)設(shè)備的無線充電系統(tǒng)中。
8. **小型電動(dòng)工具**:
在小型電動(dòng)工具中,TM7822S FS-VB 的高效能和高電流承載能力使其成為理想選擇。它可以應(yīng)用于電動(dòng)螺絲刀、電動(dòng)鉆等工具的電池管理和電流開關(guān)控制,確保在高負(fù)載工作時(shí)保持高效且低功耗。
### 總結(jié):
TM7822S FS-VB 是一款性能優(yōu)越、適應(yīng)性強(qiáng)的 N 通道 MOSFET,適合用于低電壓、高效能的電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用。它在消費(fèi)電子、LED 驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)、開關(guān)電源、汽車電子和無線充電等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,使其成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的關(guān)鍵組件。憑借其低導(dǎo)通電阻、高電流能力和優(yōu)異的開關(guān)性能,TM7822S FS-VB 能為各種應(yīng)用提供高效、穩(wěn)定的電流控制和能量轉(zhuǎn)換。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛