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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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WTK6680-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: WTK6680-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介(WTK6680-VB)

WTK6680-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,適用于中低電壓負載開關和電源管理應用。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V,具備出色的開關特性。其導通電阻(RDS(ON))在 VGS = 4.5V 時為 11mΩ,VGS = 10V 時為 8mΩ,能提供優(yōu)異的導電性能,適合用于高效率的電源設計和開關控制。最大漏極電流(ID)為 13A,使其在中等電流的負載開關應用中表現(xiàn)出色。該 MOSFET 采用 Trench 技術制造,能夠實現(xiàn)低導通電阻、快速開關和高效能量轉換,廣泛應用于便攜式設備、電池管理、智能硬件和通信設備等領域。

### 2. 詳細參數(shù)說明

| **參數(shù)**                | **說明**                                                                 |
|-------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **型號**                | WTK6680-VB                                                               |
| **封裝**                | SOP8                                                                     |
| **配置**                | 單極性 N 通道                                                           |
| **最大漏源電壓 (VDS)**  | 30V                                                                      |
| **柵源電壓 (VGS)**      | ±20V                                                                     |
| **閾值電壓 (Vth)**      | 1.7V                                                                     |
| **導通電阻 (RDS(ON))**  | 11mΩ(VGS=4.5V),8mΩ(VGS=10V)                                         |
| **最大漏極電流 (ID)**   | 13A                                                                      |
| **技術類型**            | Trench 技術                                                              |

- **VDS**:最大漏源電壓為 30V,適用于低壓系統(tǒng),能夠高效地控制中低電壓電路中的負載。
- **VGS**:柵源電壓為 ±20V,符合大多數(shù)常見驅動電壓,適應性強,能在多種工作條件下高效工作。
- **Vth**:閾值電壓為 1.7V,能夠在較低的柵電壓下導通,提高開關速度和效率。
- **RDS(ON)**:導通電阻在 VGS = 10V 時為 8mΩ,在 VGS = 4.5V 時為 11mΩ,具備低損耗、高效的導電性能。
- **ID**:最大漏極電流為 13A,適用于中等負載的電源開關和負載控制。

### 3. 適用領域和模塊

WTK6680-VB 適用于以下領域和模塊:

- **電源管理**:由于其低導通電阻和高效率,WTK6680-VB 特別適用于電源管理模塊,尤其是在開關電源、DC-DC 轉換器等電源設計中,能夠實現(xiàn)低損耗、高效能量轉換。

- **便攜式設備**:該 MOSFET 可應用于便攜式設備中,例如智能手機、平板電腦、無線耳機等,尤其在電池供電的應用中,能夠有效控制功耗,延長電池續(xù)航時間。

- **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,WTK6680-VB 能夠作為電池開關和保護開關使用,特別適用于電池充電和放電控制,優(yōu)化電池的使用壽命和效率。

- **智能硬件和物聯(lián)網(wǎng)設備**:WTK6680-VB 適用于智能硬件和物聯(lián)網(wǎng)設備,如智能家居、智能傳感器等。其低功耗特性和高效率使其在這些設備中尤為重要,特別是在需要負載開關和電源控制的場景下。

- **自動化控制和傳感器模塊**:在自動化控制系統(tǒng)和傳感器模塊中,WTK6680-VB 可用作開關元件,通過高效的電源管理實現(xiàn)信號控制和能源節(jié)省。

- **電動工具和家用電器**:WTK6680-VB 在電動工具、家電產(chǎn)品中的電源管理模塊中也有廣泛應用,如電動螺絲刀、無線吸塵器等。這些設備需要高效的功率轉換和負載控制,WTK6680-VB 提供了理想的解決方案。

綜上所述,WTK6680-VB 作為一款性能優(yōu)異的 N 通道 MOSFET,適用于多種應用場景,特別是在低壓電源管理、便攜式設備、電池管理、智能硬件以及自動化控制等領域,具備優(yōu)異的開關特性和高效能量轉換能力。

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