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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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XP131A1235SR-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): XP131A1235SR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介(XP131A1235SR-VB)

XP131A1235SR-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,專為低電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)以及各種低壓高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它的最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS = 10V 時(shí)僅為 8mΩ,在 VGS = 4.5V 時(shí)為 11mΩ,具有超低的導(dǎo)通電阻和出色的電流導(dǎo)通能力。其最大漏極電流(ID)為 13A,能夠滿足高電流負(fù)載的需求。采用 Trench 技術(shù)制造,具有高效的電流控制能力,適用于各種中低電壓電源和負(fù)載控制應(yīng)用。XP131A1235SR-VB 提供了一個(gè)穩(wěn)定、高效的電源管理解決方案,尤其適合于高效能、低功耗的電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明

| **參數(shù)**                | **說明**                                                                 |
|-------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **型號(hào)**                | XP131A1235SR-VB                                                           |
| **封裝**                | SOP8                                                                     |
| **配置**                | 單極性 N 通道                                                           |
| **最大漏源電壓 (VDS)**  | 30V                                                                      |
| **柵源電壓 (VGS)**      | ±20V                                                                     |
| **閾值電壓 (Vth)**      | 1.7V                                                                     |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**  | 11mΩ(VGS=4.5V),8mΩ(VGS=10V)                                         |
| **最大漏極電流 (ID)**   | 13A                                                                      |
| **技術(shù)類型**            | Trench 技術(shù)                                                              |

- **VDS**:最大漏源電壓為 30V,適用于中低電壓的開關(guān)電源和負(fù)載控制。
- **VGS**:柵源電壓為 ±20V,適應(yīng)常見的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍,確保在多種應(yīng)用中的穩(wěn)定工作。
- **Vth**:閾值電壓為 1.7V,確保在較低的柵電壓下即能啟動(dòng)工作,提供快速響應(yīng)的開關(guān)特性。
- **RDS(ON)**:導(dǎo)通電阻在 VGS = 10V 時(shí)為 8mΩ,VGS = 4.5V 時(shí)為 11mΩ,具有極低的導(dǎo)通損耗,適合高效能電源系統(tǒng)。
- **ID**:最大漏極電流為 13A,適用于較高電流負(fù)載的控制,提供優(yōu)異的開關(guān)性能。

### 3. 適用領(lǐng)域和模塊

XP131A1235SR-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 在開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、正負(fù)電源模塊中表現(xiàn)優(yōu)異。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其成為高效能電源管理模塊的理想選擇,能夠在電源轉(zhuǎn)換過程中提供最低的能量損耗。

- **便攜式設(shè)備和移動(dòng)應(yīng)用**:XP131A1235SR-VB 具有優(yōu)良的開關(guān)特性,特別適用于便攜式設(shè)備和移動(dòng)應(yīng)用中,如智能手機(jī)、平板電腦、便攜電池充電器等。其低功耗和高效能特性可以延長(zhǎng)電池的使用時(shí)間。

- **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)控制應(yīng)用,如電池的充放電控制、過流保護(hù)、短路保護(hù)等。由于其低導(dǎo)通電阻,它能夠減少熱量產(chǎn)生,優(yōu)化電池效率。

- **汽車電子**:XP131A1235SR-VB 適用于汽車電源管理系統(tǒng)中,如汽車LED燈控制、電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)、車載充電器等。其高可靠性和高效能能夠滿足汽車電子系統(tǒng)對(duì)功率管理和能源轉(zhuǎn)換的高要求。

- **智能家居設(shè)備**:在智能家居設(shè)備中,XP131A1235SR-VB 可用于智能插座、LED照明控制、自動(dòng)化電源開關(guān)等模塊,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電源管理和開關(guān)控制。

- **工業(yè)控制系統(tǒng)**:XP131A1235SR-VB 還可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)、繼電器替代模塊和電源轉(zhuǎn)換模塊。它的低導(dǎo)通電阻和高電流能力能夠有效提高控制系統(tǒng)的效率和響應(yīng)速度。

- **消費(fèi)類電子產(chǎn)品**:在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,XP131A1235SR-VB 可用于低功耗設(shè)備和高效率電源模塊中,如智能手表、可穿戴設(shè)備、音響系統(tǒng)等,提供穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換和管理。

綜上所述,XP131A1235SR-VB 是一款具備低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力的 N 通道 MOSFET,適用于多種中低電壓電源管理和負(fù)載控制應(yīng)用,特別是在便攜式設(shè)備、電池管理、汽車電子、智能家居等領(lǐng)域,能夠提供高效、穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換與管理方案。

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