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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFS710B-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFS710B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRFS710B-VB** 是一款高壓?jiǎn)螛ON溝道MOSFET,封裝為T(mén)O220F。該MOSFET專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì),具有650V的漏極-源極耐壓和30V的柵極-源極耐壓。IRFS710B-VB采用了平面工藝(Plannar technology),這種工藝適合于高壓和高功率的應(yīng)用場(chǎng)景。其開(kāi)關(guān)特性使其在電力轉(zhuǎn)換、電源管理以及其他要求高電壓的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:IRFS710B-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)螛ON溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**:±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ(在VGS=10V時(shí))
- **漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:平面工藝(Plannar technology)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理**:
  IRFS710B-VB可用于高壓電源轉(zhuǎn)換器中,如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。其高耐壓特性使其能夠處理來(lái)自電源的高壓尖峰,確保電源的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電力電子**:
  在電力電子設(shè)備中,IRFS710B-VB能夠作為開(kāi)關(guān)元件使用,比如在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電力調(diào)節(jié)模塊中。它能夠承受高電壓并在較高的電流下工作,適合在工業(yè)應(yīng)用中使用。

3. **逆變器**:
  該MOSFET也適用于逆變器系統(tǒng),包括太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能逆變器。其高耐壓和適中的導(dǎo)通電阻使其成為高效能量轉(zhuǎn)換的理想選擇。

4. **高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用**:
  在一些需要高電壓開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合,如高壓電路保護(hù)和負(fù)載開(kāi)關(guān),IRFS710B-VB可以有效地切斷或接通高電壓電路,保障系統(tǒng)的正常運(yùn)作。

5. **汽車(chē)電子**:
  該MOSFET也可用于汽車(chē)電子系統(tǒng)中,如高壓電池管理系統(tǒng)。它的高耐壓特性和穩(wěn)定性可以確保在惡劣環(huán)境下的可靠操作。

通過(guò)這些應(yīng)用場(chǎng)景,可以看出IRFS710B-VB是一款具有廣泛應(yīng)用前景的高壓MOSFET,適用于各種高電壓要求的電子系統(tǒng)和模塊。

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