chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

IXFP3N50PM-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IXFP3N50PM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:IXFP3N50PM-VB

IXFP3N50PM-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極-源極電壓(VDS)為650V,能夠處理高達(dá)4A的漏電流。該器件的閾值電壓(Vth)為3.5V,并在VGS=10V時具有相對較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),為2560mΩ。IXFP3N50PM-VB采用Plannar技術(shù),旨在提供可靠的性能和穩(wěn)健的熱管理,適合于各種高電壓應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號**:IXFP3N50PM-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ(@VGS=10V)
- **最大漏電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
  IXFP3N50PM-VB非常適合用于高壓開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。由于其高VDS能力,可以在高電壓環(huán)境下可靠工作,確保電源模塊的穩(wěn)定性和效率。

2. **電機(jī)控制**:
  在電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET可作為電動機(jī)控制電路中的開關(guān)元件,能夠處理較高的電壓,適用于小型電動機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動,確保良好的控制精度和響應(yīng)速度。

3. **家電和消費(fèi)電子**:
  IXFP3N50PM-VB適用于家用電器和消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理,如電熱水器、空調(diào)和洗衣機(jī)中的電源開關(guān),提供可靠的電力轉(zhuǎn)換和控制。

4. **電力電子設(shè)備**:
  該器件也可用于逆變器和其他電力電子設(shè)備,能夠在高電壓和高頻條件下穩(wěn)定工作,支持電能的轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),廣泛應(yīng)用于可再生能源和電力調(diào)度領(lǐng)域。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域的示例,IXFP3N50PM-VB在高壓電子設(shè)備中的廣泛適用性及其可靠性能得以體現(xiàn)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    453瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    392瀏覽量