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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IXTP7N60PM-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IXTP7N60PM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、IXTP7N60PM-VB 產(chǎn)品簡介**  
IXTP7N60PM-VB 是一款高壓單N溝道功率MOSFET,采用TO-220F封裝,設(shè)計用于承受高達(dá)650V的漏源極電壓(VDS)和最大7A的漏極電流(ID)。其導(dǎo)通電阻為1100mΩ@VGS = 10V,采用平面技術(shù)(Plannar),非常適合高壓和高功率應(yīng)用。這款MOSFET 能夠在高溫和苛刻的環(huán)境下提供穩(wěn)定的性能,廣泛應(yīng)用于電源管理和電機(jī)控制等領(lǐng)域。

**二、IXTP7N60PM-VB 詳細(xì)參數(shù)說明**  
- **封裝類型**:TO-220F  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源極電壓(VDS)**:650V  
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V  
- **柵閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流(ID)**:7A  
- **功耗**:可達(dá) 50W  
- **技術(shù)**:Plannar  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  
- **熱阻(結(jié)到殼)**:典型值為1.2°C/W  
- **輸入電容(Ciss)**:適中,適合快速開關(guān)應(yīng)用  
- **柵極電荷(Qg)**:較低,有助于提高開關(guān)速度  

IXTP7N60PM-VB 的設(shè)計特性使其在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

**三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊**  
IXTP7N60PM-VB 適合于多種高壓和高功率應(yīng)用領(lǐng)域,包括:

1. **電源轉(zhuǎn)換**:在AC-DC電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET 可用作開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換,特別適合工業(yè)電源和電源適配器。

2. **電機(jī)控制**:可用于電動機(jī)驅(qū)動器和控制模塊,能夠提供穩(wěn)定的電流控制,確保電動工具和電動汽車的高效運(yùn)行。

3. **開關(guān)電源**:IXTP7N60PM-VB 適合在開關(guān)電源中使用,能夠處理高電壓和高功率,降低能量損耗并提高系統(tǒng)效率。

4. **太陽能逆變器**:在光伏系統(tǒng)中作為逆變器的關(guān)鍵組件,有助于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電,提高系統(tǒng)的整體效率。

5. **家用電器**:適用于高功率家電設(shè)備,如空調(diào)和冰箱等的控制電路,確保高效的電源管理和穩(wěn)定的運(yùn)行性能。

IXTP7N60PM-VB MOSFET 是電力電子和功率管理領(lǐng)域中的可靠選擇,適合多種高電壓和高功率應(yīng)用。

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