--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K4101FG-VB 產(chǎn)品簡介
K4101FG-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為需要高耐壓和低導通電阻的應(yīng)用而設(shè)計。該器件具有650V的高漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS),適用于高功率和高電壓的電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。其閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,能夠在較低的柵電壓下開啟。該 MOSFET 的 RDS(ON) 為 830mΩ @ VGS = 10V,使其在導通時具有低功耗特性,提升了整體系統(tǒng)的效率。
### 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 描述 |
|---------------------|----------------------------------|
| **型號** | K4101FG-VB |
| **封裝** | TO220F |
| **配置** | 單 N 溝道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))**| 830mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏電流 (ID)** | 10A |
| **技術(shù)** | 平面技術(shù) |
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
K4101FG-VB MOSFET 適用于多種領(lǐng)域和模塊,包括但不限于:
1. **電源管理**: 由于其高電壓和低導通電阻特性,K4101FG-VB 可以用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,以提高能源效率并降低熱量產(chǎn)生。
2. **電機控制**: 在電機驅(qū)動和控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于高電壓的電機控制電路,確保電機啟動和運行的穩(wěn)定性和效率。
3. **逆變器**: 在太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)中,K4101FG-VB 由于其高耐壓特性,可以有效地處理電壓波動,保證系統(tǒng)的可靠性。
4. **高頻開關(guān)**: 該器件可應(yīng)用于高頻開關(guān)電路,如 RF 放大器和無線電發(fā)射器,提供良好的開關(guān)特性和性能。
通過以上應(yīng)用,K4101FG-VB MOSFET 能夠在要求高電壓和高效率的系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用,為現(xiàn)代電子設(shè)備提供穩(wěn)定的性能保障。
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