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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K5A55DA4-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K5A55DA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:K5A55DA4-VB MOSFET

K5A55DA4-VB是一款采用TO220F封裝的高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,設(shè)計(jì)用于650V的高壓應(yīng)用。該器件采用平面(Plannar)技術(shù),能夠承受最大7A的電流,并且在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ,適合處理較高電壓和中等電流的場(chǎng)景。其優(yōu)異的電氣特性和高電壓耐受性使其適用于電源管理、逆變器和工業(yè)控制等應(yīng)用場(chǎng)景,特別是在要求高效、可靠的電路中具有良好的表現(xiàn)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類(lèi)型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大導(dǎo)通電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar(平面工藝)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **功耗**: 適中,設(shè)計(jì)用于高壓場(chǎng)合

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:

1. **電源管理系統(tǒng)**:K5A55DA4-VB適用于高壓電源轉(zhuǎn)換和管理系統(tǒng),尤其是在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和PFC(功率因數(shù)校正)電路中,其650V的高壓耐受性確保了系統(tǒng)在高壓條件下的安全運(yùn)行,且能夠有效降低能量損耗。

2. **太陽(yáng)能逆變器**:在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的逆變器中,K5A55DA4-VB可以處理直流-交流轉(zhuǎn)換中的高壓部分,確保能量高效傳輸并降低轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功率損耗,是太陽(yáng)能電池板到電網(wǎng)能量傳輸鏈中的關(guān)鍵元件。

3. **工業(yè)控制設(shè)備**:該MOSFET在工業(yè)控制應(yīng)用中常用于高壓驅(qū)動(dòng)電路和負(fù)載開(kāi)關(guān)控制,適合用于電機(jī)控制和PLC等工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中。其650V的高電壓耐受性確保了其在嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境中的可靠運(yùn)行。

4. **家電逆變器**:K5A55DA4-VB在家用電器的逆變器模塊中也有廣泛應(yīng)用,如空調(diào)、冰箱等設(shè)備的變頻器。該MOSFET在高壓條件下能提供穩(wěn)定、可靠的功率轉(zhuǎn)換,是這些設(shè)備中高效能量管理的關(guān)鍵組件。

5. **照明系統(tǒng)**:特別適合用于高壓LED驅(qū)動(dòng)電源中,K5A55DA4-VB可確保高壓環(huán)境下的高效轉(zhuǎn)換,提供恒定電流以驅(qū)動(dòng)大功率LED,提升照明設(shè)備的使用壽命和穩(wěn)定性。

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