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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K5A55D-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K5A55D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K5A55D-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K5A55D-VB 是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的高耐壓特性和30V的柵源電壓范圍。它的閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在低電壓驅(qū)動(dòng)下依然能夠有效工作。該器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ(在VGS=10V時(shí)),使其在開關(guān)操作中具有良好的導(dǎo)電性能。K5A55D-VB 設(shè)計(jì)用于需要高電壓和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合,適用于各種工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: K5A55D-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N通道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)類型**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

K5A55D-VB MOSFET因其出色的性能,廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,具體包括:

1. **電源管理**: 該MOSFET適用于開關(guān)電源、直流-直流變換器等電源管理模塊,能夠有效提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電機(jī)控制應(yīng)用中,K5A55D-VB可作為高壓開關(guān)元件,驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī),適用于自動(dòng)化設(shè)備和機(jī)器人系統(tǒng)。

3. **消費(fèi)電子**: 該器件可用于電視、音響等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換和管理,提高設(shè)備的性能與可靠性。

4. **照明控制**: 該MOSFET也適合用于LED驅(qū)動(dòng)電路,通過高效開關(guān)來實(shí)現(xiàn)高亮度和節(jié)能效果。

5. **工業(yè)設(shè)備**: K5A55D-VB可在各種工業(yè)設(shè)備中用于功率放大器和高壓開關(guān)電路,確保設(shè)備在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

通過結(jié)合高耐壓與低導(dǎo)通電阻,K5A55D-VB能夠滿足多種應(yīng)用需求,為設(shè)計(jì)工程師提供了可靠的解決方案。

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