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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K9A55DA-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K9A55DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 — K9A55DA-VB MOSFET

K9A55DA-VB 是一款高電壓單極性N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,能夠承受高達(dá)650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓為3.5V,使用平面技術(shù)(Plannar)制造,具備680mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=10V,最大漏極電流為12A。K9A55DA-VB 具有出色的耐壓特性和高效的電流管理能力,非常適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用,能夠確保系統(tǒng)在高負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行。

### 詳細(xì)參數(shù)說明 — K9A55DA-VB MOSFET

- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單一N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:12A
- **技術(shù)類型**:平面技術(shù)(Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓開關(guān)電源(High Voltage Switching Power Supplies)**  
  K9A55DA-VB 非常適合用于高壓開關(guān)電源設(shè)計(jì),能夠處理高達(dá)650V的輸入電壓,確保電源轉(zhuǎn)換過程中的高效能量傳輸。這種特性使其成為工業(yè)電源和通信電源等領(lǐng)域的重要選擇。

2. **太陽能逆變器(Solar Inverters)**  
  在太陽能逆變器中,K9A55DA-VB 可以用來將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)。其高耐壓和高電流能力有助于提高整體效率,降低能耗,使系統(tǒng)在不同的負(fù)載條件下保持穩(wěn)定工作。

3. **電動(dòng)汽車充電設(shè)備(Electric Vehicle Charging Equipment)**  
  K9A55DA-VB 適用于電動(dòng)汽車充電設(shè)備,能夠有效管理高壓充電過程。其耐壓和導(dǎo)通電阻特性保證了在快速充電時(shí)的安全性與高效性,是現(xiàn)代電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)的關(guān)鍵組件之一。

4. **家用電器(Home Appliances)**  
  該MOSFET 還可用于家用電器中,如空調(diào)和電冰箱等設(shè)備的電源管理模塊。它能夠在高負(fù)載條件下穩(wěn)定工作,確保家電的高效能與可靠性,提升用戶的使用體驗(yàn)。

5. **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備(Industrial Automation Equipment)**  
  在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,K9A55DA-VB 可用作驅(qū)動(dòng)電機(jī)和高壓設(shè)備的開關(guān)器件。其可靠的高耐壓特性使其成為各種工業(yè)控制模塊的理想選擇,有助于提高設(shè)備的整體效率與安全性。

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