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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K9A60D-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K9A60D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - K9A60D-VB MOSFET

K9A60D-VB 是一款采用 **TO220F 封裝** 的 **單一N溝道MOSFET**,專為高電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì),特別適用于電力電子領(lǐng)域。該MOSFET 的 **漏源電壓(VDS)** 高達(dá) **650V**,能夠處理多種高壓應(yīng)用,其 **柵源電壓(VGS)** 為 **±30V**,確保其在廣泛的工作條件下的穩(wěn)定性。K9A60D-VB 的 **閾值電壓(Vth)** 為 **3.5V**,在適當(dāng)?shù)臇烹妷合驴裳杆賹?dǎo)通。該器件的 **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))** 為 **680mΩ**(在柵極電壓為10V時(shí)),在確保電流通過的同時(shí)降低功率損耗,其最大漏極電流為 **12A**。K9A60D-VB 采用了 **平面技術(shù)(Plannar)**,提供可靠的性能和廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明 - K9A60D-VB

- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單一N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:12A
- **技術(shù)類型**:平面技術(shù)(Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
- **最大功耗(Ptot)**:60W(在25°C環(huán)境下)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
  K9A60D-VB 特別適用于 **高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**,能夠在高電壓環(huán)境中高效地轉(zhuǎn)換電能。650V 的漏源電壓使其在電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中具備良好的適應(yīng)性,非常適合用于電源模塊和電源適配器等應(yīng)用中。

2. **電動汽車充電系統(tǒng)**:
  該MOSFET 在 **電動汽車充電器** 和電池管理系統(tǒng)中也具有重要應(yīng)用。其高電壓和電流處理能力能夠滿足充電過程中的高效能量傳輸,保證在多種工作條件下的穩(wěn)定性和安全性。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動**:
  K9A60D-VB 適合用于 **工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)**,特別是在高壓驅(qū)動的應(yīng)用場合。憑借其穩(wěn)定的導(dǎo)通特性和較低的導(dǎo)通損耗,該MOSFET 可用于驅(qū)動高壓電動機(jī),確保電機(jī)在運(yùn)行過程中的高效和可靠。

4. **逆變器和整流器**:
  該器件也常用于 **逆變器和整流器** 系統(tǒng),如太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)。K9A60D-VB 的高電壓能力與可靠性,使其在能量轉(zhuǎn)換過程中實(shí)現(xiàn)高效率,有效應(yīng)對不同負(fù)載條件。

綜上所述,K9A60D-VB MOSFET 適用于多個(gè)高壓電力轉(zhuǎn)換和管理領(lǐng)域,包括高壓電源轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動以及逆變器和整流器等應(yīng)用,能夠滿足這些系統(tǒng)對高電壓和高效能的嚴(yán)格要求。

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