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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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KF7N65FM-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: KF7N65FM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
KF7N65FM-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具備良好的熱管理和散熱性能。該器件的漏源電壓(VDS)為650V,適合高電壓應用,柵極電壓額定值為±30V(VGS),提供安全的操作范圍。其開啟閾值電壓(Vth)為3.5V,導通電阻(RDS(ON))為1100mΩ(在VGS=10V時),最大連續(xù)漏極電流(ID)為7A。KF7N65FM-VB采用平面技術(Plannar),確保了優(yōu)良的電氣性能和熱穩(wěn)定性,適合在多種電力轉換和控制應用中使用。

### 產(chǎn)品參數(shù)詳解
1. **封裝類型**:TO220F,專為高功率應用設計的封裝,適合安裝散熱器,以提高散熱效率。
2. **漏源電壓(VDS)**:650V,能夠處理高電壓應用,如高壓開關電源和逆變器。
3. **柵極電壓(VGS)**:±30V,確保在工作中具備良好的安全性和抗擊穿能力。
4. **開啟閾值電壓(Vth)**:3.5V,設計時可有效控制MOSFET的開啟狀態(tài)。
5. **導通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ@VGS=10V,具有合理的導通電阻,能夠有效降低功耗。
6. **漏極電流(ID)**:7A,適合中高電流的開關控制應用。
7. **技術類型**:Plannar,平面技術能夠確保良好的電氣性能和熱管理,適合大規(guī)模生產(chǎn)。

### 應用領域與模塊
1. **開關電源(SMPS)**:KF7N65FM-VB廣泛應用于高壓開關電源設計中,能夠在650V的工作條件下實現(xiàn)高效的電能轉換,適用于各種適配器和電源模塊。

2. **電機驅(qū)動**:在電機控制系統(tǒng)中,該MOSFET可作為開關元件,支持高電流和高電壓的電機驅(qū)動應用,適合工業(yè)自動化和家電領域的電機控制。

3. **LED驅(qū)動電源**:KF7N65FM-VB能夠用于大功率LED照明系統(tǒng)中,提供穩(wěn)定的電流輸出,確保LED模塊的可靠性和長壽命。

4. **逆變器**:在光伏逆變器及其他類型的逆變器中,該器件能夠有效實現(xiàn)高電壓切換,適合將直流電轉為交流電的應用,確保逆變器的高效運行。

5. **UPS電源(不間斷電源)**:KF7N65FM-VB適用于不間斷電源系統(tǒng),能夠提供快速切換和穩(wěn)定的電源輸出,保障關鍵設備在電力故障情況下的正常運行。

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