--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
SMK0465FJ-VB 是一款單極 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓開關(guān)和功率控制應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的最大漏源電壓(V_DS)為 650V,柵源電壓(V_GS)最大為 ±30V,開啟電壓(V_th)為 3.5V,最大漏極電流(I_D)為 4A。SMK0465FJ-VB 采用了 Plannar 技術(shù),具有較高的耐壓能力和可靠性,適合在高電壓環(huán)境中進行功率開關(guān)操作。其導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))為 2560mΩ @ V_GS = 10V,適合對功率損耗要求較低的應(yīng)用。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**:SMK0465FJ-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單極 N 通道 MOSFET
- **漏源電壓 (V_DS)**:650V
- **柵源電壓 (V_GS)**:±30V
- **開啟電壓 (V_th)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
- 2560mΩ @ V_GS = 10V
- **漏極電流 (I_D)**:4A
- **技術(shù)類型**:Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
SMK0465FJ-VB 適用于高壓功率開關(guān)、工業(yè)控制和電源管理等領(lǐng)域。其高耐壓和適中的導(dǎo)通電阻使其在多種需要高耐壓和穩(wěn)定性的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。以下是該 MOSFET 的典型應(yīng)用場景:
1. **高壓電源開關(guān)**
SMK0465FJ-VB 可用作高壓電源開關(guān)元件,特別適合用于 AC-DC 轉(zhuǎn)換器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等電源模塊中。其最大 650V 的漏源電壓使其能夠承受較高的輸入電壓,適用于工業(yè)電源、通信設(shè)備的電源模塊,或需要高效電力轉(zhuǎn)換的電氣設(shè)備。
2. **電動機驅(qū)動與控制**
在電動機驅(qū)動系統(tǒng)中,SMK0465FJ-VB 可作為功率開關(guān)元件,用于電機控制電路中。在高壓直流電動機或交流電動機的驅(qū)動應(yīng)用中,它能夠確保電動機的啟動、停止、轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)和反向操作,尤其在工業(yè)自動化和電動工具等設(shè)備中具有廣泛應(yīng)用。
3. **逆變器和不間斷電源(UPS)**
逆變器和 UPS 系統(tǒng)需要高耐壓、高可靠性的開關(guān)元件,SMK0465FJ-VB 能夠在這些高電壓環(huán)境下有效工作。它的高漏源電壓使其適合于太陽能逆變器、電動汽車充電站的電力轉(zhuǎn)換、以及各種備份電源系統(tǒng)中,確保設(shè)備在斷電時穩(wěn)定運行。
4. **LED 驅(qū)動電路**
在需要高電壓控制的 LED 驅(qū)動電路中,SMK0465FJ-VB 可作為主開關(guān)元件,提供高效的電力傳輸和低功率損耗。適用于工業(yè)照明、商業(yè)照明及室外照明系統(tǒng)等。其較高的耐壓能力可以應(yīng)對大電流和高電壓的驅(qū)動需求。
5. **功率放大器與射頻應(yīng)用**
SMK0465FJ-VB 適用于功率放大器和射頻開關(guān)應(yīng)用,尤其在一些需要穩(wěn)定、高壓操作的射頻設(shè)備中。由于其高耐壓和良好的開關(guān)特性,這款 MOSFET 可用于基站、雷達系統(tǒng)等通訊領(lǐng)域中的功率控制和射頻開關(guān)。
6. **汽車電子與電池管理**
SMK0465FJ-VB 還可用于汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)和電池供電的電動汽車系統(tǒng)中,管理電池的充放電過程,確保系統(tǒng)的高效能和可靠性。其耐壓和穩(wěn)定性使其在高壓電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)越,尤其是在電動汽車或電動工具等設(shè)備中。
### 總結(jié)
SMK0465FJ-VB 是一款高壓、低電流的 N 通道 MOSFET,具有較高的耐壓能力和可靠性,適合用于高電壓電源開關(guān)、電動機驅(qū)動、逆變器、LED 驅(qū)動、射頻放大器以及汽車電子等領(lǐng)域。通過采用 Plannar 技術(shù),該 MOSFET 在高電壓、高頻環(huán)境中表現(xiàn)出色,能夠有效提升功率轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,適用于需要高效開關(guān)和功率控制的應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12