--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### STF11NM60ND-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
STF11NM60ND-VB 是一款高效單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 650V 的漏源電壓(VDS)和最大漏極電流(ID)為 12A,適用于中高電壓和中等電流負(fù)載的開(kāi)關(guān)控制。采用 Plannar 技術(shù),STF11NM60ND-VB 在高電壓、高效能應(yīng)用中具有出色的性能,提供了較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于電源管理、LED 驅(qū)動(dòng)、電機(jī)控制及其他需要高電壓耐受和高效開(kāi)關(guān)的領(lǐng)域,具備穩(wěn)定性強(qiáng)、熱性能好等優(yōu)點(diǎn),特別適合需要高可靠性和低功耗的應(yīng)用。
### STF11NM60ND-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **規(guī)格** | **描述** |
|------------------------|-----------------------|------------------------------------------------------------|
| **封裝** | TO220F | 適用于高功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能 |
| **配置** | 單 N 溝道 | 提供高效能的電流傳輸與開(kāi)關(guān)控制 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650V | 高電壓承受能力,適用于高壓應(yīng)用 |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V | 穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍,確??煽坎僮? |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3.5V | 柵極開(kāi)啟所需的最小電壓 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS=10V | 適中導(dǎo)通電阻,適用于中等功率負(fù)載的高效能開(kāi)關(guān) |
| **漏極電流 (ID)** | 12A | 最大漏極電流,適用于中等電流負(fù)載的應(yīng)用 |
| **技術(shù)類型** | Plannar | 使用傳統(tǒng)的平面技術(shù),優(yōu)化高電壓操作性能 |
### 典型應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理與轉(zhuǎn)換**
STF11NM60ND-VB 在高效電源轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用。其高電壓(650V)的承受能力和相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻使其非常適合于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器及 AC-DC 電源適配器等電源轉(zhuǎn)換模塊。STF11NM60ND-VB 提供了高效率、低能量損耗的工作性能,在大功率電源設(shè)計(jì)中起到了重要作用,尤其是在需要高電壓隔離的應(yīng)用場(chǎng)合。
2. **電機(jī)控制系統(tǒng)**
在工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,STF11NM60ND-VB 作為開(kāi)關(guān)元件用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)節(jié)。它能夠有效處理電機(jī)控制過(guò)程中的電壓和電流波動(dòng),穩(wěn)定工作,并能承受較大的電流負(fù)荷。其高電壓耐受和較低的導(dǎo)通電阻使得其能夠在復(fù)雜電路中提供高效的開(kāi)關(guān)控制,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具、家電以及工業(yè)機(jī)械的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中。
3. **汽車電子**
STF11NM60ND-VB 在汽車電子設(shè)備中得到了應(yīng)用,特別是在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的電源管理系統(tǒng)中。這款 MOSFET 適用于電池管理、電力轉(zhuǎn)換和電池充放電控制等模塊。其高電壓耐受性和低導(dǎo)通電阻特點(diǎn)能夠在保證高效能的同時(shí)降低能量損耗,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)與照明控制**
在 LED 驅(qū)動(dòng)電源和照明控制系統(tǒng)中,STF11NM60ND-VB 被廣泛用于高壓控制電路中。由于其低導(dǎo)通電阻和高電壓承受能力,它能夠有效地驅(qū)動(dòng)高功率 LED,并提高整體效率,降低散熱。無(wú)論是在商業(yè)照明、室內(nèi)照明還是工業(yè)照明控制系統(tǒng)中,STF11NM60ND-VB 都能夠提供穩(wěn)定的工作狀態(tài)和高效的功率轉(zhuǎn)換。
5. **高壓開(kāi)關(guān)電路**
STF11NM60ND-VB 在高壓開(kāi)關(guān)電路中也有重要應(yīng)用,如逆變器和高電壓電力電子模塊。由于其承受高電壓的能力和較低的導(dǎo)通損耗,它能夠保證在電力電子設(shè)備中的穩(wěn)定性和高效能。尤其適用于電力傳輸和高壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)控制模塊,確保設(shè)備在高壓環(huán)境下運(yùn)行安全且高效。
通過(guò)這些應(yīng)用,STF11NM60ND-VB 能夠滿足電力轉(zhuǎn)換、開(kāi)關(guān)控制及高效能操作的需求,成為高電壓、高效能電子產(chǎn)品中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛