chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

STF4NK50ZD-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: STF4NK50ZD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、STF4NK50ZD-VB 產(chǎn)品簡介

STF4NK50ZD-VB 是一款高性能的 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應用而設計。其最大漏源電壓(VDS)為 650V,柵源電壓(VGS)可承受 ±30V,開啟電壓(Vth)為 3.5V,導通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)為 4A。該 MOSFET 采用 Plannar 技術,適用于各種電力電子設備中的高電壓和中等電流應用,如開關電源、逆變器和電池管理系統(tǒng)等。其特性使其能夠在較高電壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的性能,并且能夠有效控制功率傳輸,減少能量損耗。

---

### 二、STF4NK50ZD-VB 參數(shù)詳解

| **參數(shù)**               | **說明**                                                       |
|------------------------|--------------------------------------------------------------|
| **封裝類型**            | TO220F                                                        |
| **極性**                | 單 N 溝道 (Single N-Channel)                                  |
| **漏源電壓 (VDS)**      | 650V                                                          |
| **柵源電壓 (VGS)**      | ±30V                                                          |
| **開啟電壓 (Vth)**       | 3.5V                                                           |
| **導通電阻 (RDS(ON))**   | 2560mΩ @ VGS=10V                                              |
| **漏極電流 (ID)**       | 4A                                                            |
| **功耗 (Ptot)**         | 50W(具體取決于散熱條件)                                      |
| **工作溫度范圍**         | -55°C 至 +150°C                                               |
| **封裝尺寸**            | TO220F 封裝,適合中等功率和高電壓應用                         |
| **技術**                | Plannar                                                       |

---

### 三、應用領域及模塊示例

1. **開關電源**
  STF4NK50ZD-VB 在開關電源(SMPS)中有著廣泛的應用。其 650V 的漏源電壓和 4A 的漏極電流使其能夠處理高電壓輸入并驅動功率負載。導通電阻較高(2560mΩ),使得它適合用于中功率等級的電源轉換應用。它能夠在較高電壓下穩(wěn)定運行,適用于低功耗的電子設備或工業(yè)電源中。

2. **低功率逆變器**
  STF4NK50ZD-VB 可用于低功率逆變器系統(tǒng)。逆變器通常需要將直流電轉換為交流電,廣泛應用于太陽能光伏系統(tǒng)和電池儲能系統(tǒng)中。其 650V 的耐壓能力使其能夠承受高電壓,同時最大漏極電流為 4A,適用于中小功率逆變器模塊。在這些應用中,STF4NK50ZD-VB 提供穩(wěn)定的功率轉換,盡管它的導通電阻較高,但在相對低功率的設計中,仍能夠提供較好的效率。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
  STF4NK50ZD-VB 在電池管理系統(tǒng)中也具有潛在的應用。電池管理系統(tǒng)負責監(jiān)控和調節(jié)電池的充電和放電過程,確保電池的使用壽命和性能。該 MOSFET 具備合適的耐壓(650V),能夠承受電池電壓波動,適用于中等功率的電池管理設計。尤其是在低功率電池組的充電與放電過程中,STF4NK50ZD-VB 能夠高效控制電流,保障電池的安全運行。

4. **LED 驅動電路**
  STF4NK50ZD-VB 可應用于 LED 驅動電路中,尤其是中功率的 LED 照明產(chǎn)品。其導通電阻較高,但在較低功率需求的系統(tǒng)中,可以有效提供電流控制。STF4NK50ZD-VB 在這些應用中能夠實現(xiàn)高效的電流調節(jié),并確保 LED 燈具的長壽命與穩(wěn)定性。由于其 650V 的耐壓,適合驅動多種類型的高電壓 LED 照明模塊。

5. **電力控制模塊**
  STF4NK50ZD-VB 可廣泛應用于電力控制模塊(如電機驅動模塊、負載控制模塊等),特別是在需要耐高電壓、低至中功率的場合。該 MOSFET 的高耐壓和適中的電流能力使其適用于需要精確控制的電力系統(tǒng),尤其是在工業(yè)自動化設備中,對功率和效率有較高要求的系統(tǒng)。

6. **家電控制電路**
  STF4NK50ZD-VB 也可以用于家電控制電路中,例如在冰箱、電動工具和空調控制系統(tǒng)中。它能夠處理這些設備中的電壓波動,提供穩(wěn)定的電流傳輸,并有助于提高系統(tǒng)的效率。在這些應用中,STF4NK50ZD-VB 有助于提高能效并減少電力損耗。

---

STF4NK50ZD-VB 是一款適用于中等功率、高電壓應用的 N 溝道 MOSFET,廣泛應用于開關電源、逆變器、電池管理系統(tǒng)、LED 驅動、工業(yè)電力控制以及家電電路等領域。其較高的導通電阻適合低至中功率的應用,同時高耐壓能力確保其在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    384瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    343瀏覽量