chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

STF5N52K3-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): STF5N52K3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### STF5N52K3-VB 產(chǎn)品簡介

STF5N52K3-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 溝道功率 MOSFET,具有 650V 的漏源耐壓(VDS)和 7A 的最大漏極電流(ID)。該 MOSFET 使用 Plannar 技術(shù),適合用于高電壓和中等電流要求的應(yīng)用。開啟電壓(Vth)為 3.5V,最大柵源電壓為 ±30V,能夠在寬電壓范圍內(nèi)可靠工作。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ(在 VGS = 10V 時(shí)),適合一些對導(dǎo)通電阻要求較低的中功率應(yīng)用。STF5N52K3-VB 特別適用于需要高電壓耐受、具有一定電流承載能力的領(lǐng)域。

---

### 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說明

| **參數(shù)**               | **值**                             | **說明**                                                                 |
|------------------------|------------------------------------|-------------------------------------------------------------------------|
| **封裝類型**            | TO220F                            | TO220F 封裝,具有良好的散熱性能,適合中等功率的應(yīng)用。                     |
| **配置**               | 單一 N 溝道                        | 單極 N 溝道結(jié)構(gòu),適用于高電壓開關(guān)和電流控制應(yīng)用。                            |
| **漏源電壓 (VDS)**  | 650V                               | 最大漏源電壓為 650V,適合高電壓系統(tǒng)的應(yīng)用。                                |
| **柵源電壓 (VGS)**  | ±30V                               | 最大柵源電壓為 ±30V,確保在廣泛的工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行。                    |
| **開啟電壓 (Vth)**   | 3.5V                               | 開啟電壓為 3.5V,適用于標(biāo)準(zhǔn)電壓控制的應(yīng)用。                               |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ @ VGS = 10V      | 導(dǎo)通電阻為 1100mΩ,適用于中等功率應(yīng)用,提供適度的導(dǎo)電性能。               |
| **最大漏極電流 (ID)**   | 7A                                 | 最大漏極電流為 7A,適用于中等電流負(fù)載的應(yīng)用。                             |
| **技術(shù)**               | Plannar                           | 使用 Plannar 技術(shù),適合一般功率應(yīng)用,確保可靠的性能和較高的效率。          |

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源適配器和電源轉(zhuǎn)換器**  
  STF5N52K3-VB 可用于電源適配器、AC-DC 轉(zhuǎn)換器或 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。由于其 650V 的高耐壓,它適用于需要將高電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定低電壓的應(yīng)用,尤其是功率要求不高的中小型電源模塊。盡管其導(dǎo)通電阻相對較高,但對于低功率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,它能夠滿足基本的效率要求。

2. **電動(dòng)工具電池管理系統(tǒng)**  
  在電動(dòng)工具的電池管理系統(tǒng)中,STF5N52K3-VB 可用于開關(guān)控制和電池電流調(diào)節(jié)。對于一些電池電壓較高且電流需求較低的電動(dòng)工具,STF5N52K3-VB 以其較高的漏源電壓耐受能力,可以有效控制電池的充放電過程,確保電池的安全高效使用。

3. **電視和顯示器電源模塊**  
  在電視和顯示器的電源模塊中,STF5N52K3-VB 適用于電源開關(guān)應(yīng)用,尤其是在中低功率的情境下。它能夠處理高電壓輸入并將其轉(zhuǎn)換為電視或顯示器所需的電壓輸出,確保顯示設(shè)備的穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)電源控制**  
  在工業(yè)控制系統(tǒng)中,STF5N52K3-VB 可用于控制模塊和驅(qū)動(dòng)電路中,尤其是在需要高電壓操作并且電流需求適中的應(yīng)用場景。它適用于機(jī)器設(shè)備的電力管理和控制,如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化控制系統(tǒng),提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。

5. **汽車電源管理系統(tǒng)**  
  在汽車電子設(shè)備中,STF5N52K3-VB 可用于高電壓系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng)(BMS)中的開關(guān)控制。它能夠耐受較高的電壓,并提供穩(wěn)定的電流控制,適合用于電動(dòng)汽車、電池系統(tǒng)和電源管理應(yīng)用。

6. **LED照明驅(qū)動(dòng)電源**  
  在LED照明驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,STF5N52K3-VB 可用于高電壓驅(qū)動(dòng)電路,幫助控制LED的功率供應(yīng)。由于它能夠高效工作于較高電壓和電流范圍,該 MOSFET 可用于大型照明系統(tǒng)的控制,如街道照明、商場照明等。

7. **風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)控制**  
  在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中,STF5N52K3-VB 可用于風(fēng)力發(fā)電機(jī)的電力轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng),尤其適用于中低功率的應(yīng)用。它能夠處理高電壓并進(jìn)行高效的功率轉(zhuǎn)換,幫助優(yōu)化發(fā)電系統(tǒng)的性能。

STF5N52K3-VB 的高電壓耐受性和中等電流能力使其非常適用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制、電動(dòng)工具、LED照明等中等功率的應(yīng)用領(lǐng)域。雖然它的導(dǎo)通電阻較高,但在需要處理高電壓、較低電流的系統(tǒng)中,依然提供了良好的開關(guān)性能和可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    348瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    317瀏覽量