chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

STF8NM50N-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): STF8NM50N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### STF8NM50N-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

STF8NM50N-VB 是一款采用 **Plannar 技術(shù)** 的 N-溝道功率 MOSFET,封裝形式為 TO220F。它具備 **650V** 的最大漏源電壓(VDS),并具有 **12A** 的最大漏極電流(ID)。在 **VGS = 10V** 時(shí),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 **680mΩ**,提供較低的功耗和更高的工作效率。該 MOSFET 適合用于中等功率和高電壓的開關(guān)電源、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)控制以及汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域。

該器件采用 **Plannar 技術(shù)**,它具有較好的穩(wěn)定性和高效率,能夠提供較低的導(dǎo)通損耗、快速的開關(guān)特性和較高的電流承載能力。STF8NM50N-VB 適用于要求高電壓、較大電流和穩(wěn)定開關(guān)性能的電力電子設(shè)備中。

---

### STF8NM50N-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| **參數(shù)**               | **值**                     | **說明**                                          |
|-------------------------|-----------------------------|--------------------------------------------------|
| **封裝類型**           | TO220F                     | TO220F 封裝形式,適合高功率應(yīng)用,提供良好的散熱性能。   |
| **通道類型**           | 單 N-溝道                   | 單 N-溝道配置,適用于電力控制和開關(guān)應(yīng)用。           |
| **漏源電壓 (VDS)**     | 650V                        | 最大漏源電壓為 650V,適合中高壓電力開關(guān)應(yīng)用。      |
| **柵源電壓 (VGS)**     | ±30V                        | 最大柵源電壓為 ±30V,適應(yīng)多種驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。           |
| **閾值電壓 (Vth)**     | 3.5V                        | 閾值電壓為 3.5V,適用于大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路。           |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS=10V             | 在 VGS=10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻為 680mΩ,適合低功率開關(guān)應(yīng)用。    |
| **漏極電流 (ID)**      | 12A                          | 最大漏極電流為 12A,適用于中等功率電源管理應(yīng)用。         |
| **技術(shù)類型**           | Plannar                     | 使用 Plannar 技術(shù),有助于提高開關(guān)性能和導(dǎo)通效率。 |

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  STF8NM50N-VB 在開關(guān)電源(SMPS)中得到了廣泛的應(yīng)用,尤其是在中高功率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。由于其 **650V** 的高漏源電壓和 **12A** 的大漏極電流承載能力,該 MOSFET 適合用作高效的開關(guān)元件。它能夠在 **VGS=10V** 時(shí)提供較低的導(dǎo)通電阻(680mΩ),有助于減少能量損失,提高電源系統(tǒng)的效率。常見應(yīng)用包括服務(wù)器電源、工業(yè)電源模塊和消費(fèi)類電源適配器等。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制**  
  在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,STF8NM50N-VB 的 **650V** 高電壓承受能力和 **12A** 電流處理能力使其非常適用于控制高功率電動(dòng)機(jī)。無論是在電動(dòng)工具、電動(dòng)窗戶升降器,還是工業(yè)機(jī)器人的驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 都能提供精確的電流開關(guān)控制,保證電動(dòng)機(jī)的高效運(yùn)行。尤其是在需要頻繁開關(guān)的電動(dòng)機(jī)控制器中,STF8NM50N-VB 能夠降低導(dǎo)通損失和熱量產(chǎn)生,提升系統(tǒng)的整體性能。

3. **工業(yè)電力控制**  
  STF8NM50N-VB 可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電力控制領(lǐng)域,如電力轉(zhuǎn)換器、變頻器和電力傳輸設(shè)備中。它在 **VGS=10V** 時(shí)的導(dǎo)通電阻為 680mΩ,這使得它在中等功率的電力系統(tǒng)中非常適合,能夠提供較低的能量損耗。其高耐壓能力(650V)使其可以應(yīng)用于各種需要高電壓承載的工業(yè)控制電路中,保證電力設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **汽車電子**  
  該 MOSFET 在汽車電子系統(tǒng)中的應(yīng)用包括汽車電池管理、充電控制器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和高壓系統(tǒng)中。由于其高電壓和高電流能力,STF8NM50N-VB 可有效用于電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。在這些應(yīng)用中,MOSFET 不僅提高了系統(tǒng)的功率效率,還保證了系統(tǒng)的可靠性,特別是在高電壓和頻繁開關(guān)的環(huán)境下。

5. **照明控制和智能電網(wǎng)**  
  在智能電網(wǎng)和照明控制系統(tǒng)中,STF8NM50N-VB 可用作高效的電力開關(guān)元件。由于其優(yōu)秀的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通電阻,它在需要精確電力調(diào)節(jié)的照明控制和智能電網(wǎng)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。它能夠幫助實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率和更長(zhǎng)的設(shè)備壽命,減少能量浪費(fèi),特別是在需要長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)荷運(yùn)行的系統(tǒng)中。

6. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**  
  在電池管理系統(tǒng)中,STF8NM50N-VB 可用于控制電池的充放電過程。在電池充電器、逆變器以及UPS(不間斷電源)中,它能夠提供高效的開關(guān)操作,確保電池在充電時(shí)處于最佳工作狀態(tài)。其高電壓耐受能力使其能夠用于大電池系統(tǒng),同時(shí)低導(dǎo)通電阻減少了充電過程中的能量損耗,延長(zhǎng)了電池壽命。

STF8NM50N-VB 是一款高效的功率 MOSFET,適用于多種高電壓和高電流的電力電子應(yīng)用,能夠提供穩(wěn)定、高效的性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)機(jī)控制、工業(yè)電力控制和電池管理等領(lǐng)域。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    344瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    316瀏覽量