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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SVF4N65EF-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: SVF4N65EF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:SVF4N65EF-VB

SVF4N65EF-VB是一款高電壓N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計,具有650V的漏源電壓(VDS)和最大漏極電流(ID)為4A。該MOSFET使用平面(Plannar)技術(shù),提供可靠的開關(guān)性能,適合用于中低功率的高電壓電源和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。SVF4N65EF-VB具有較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 2560mΩ @VGS=10V),適用于低功率和較低電流的應(yīng)用場景。它的高耐壓特性使其能夠在高電壓電源系統(tǒng)中穩(wěn)定工作,尤其適用于需要高電壓耐受和電流調(diào)節(jié)的電力管理、開關(guān)電源和保護電路等領(lǐng)域。

### 詳細參數(shù)說明:

- **型號**:SVF4N65EF-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單極N溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**:650V
- **最大柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**:4A
- **技術(shù)**:平面(Plannar)技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:

1. **開關(guān)電源(SMPS)和電力轉(zhuǎn)換**:
  SVF4N65EF-VB適用于高電壓的開關(guān)電源(SMPS)系統(tǒng),尤其是在需要650V電壓耐受的中低功率轉(zhuǎn)換中。它能夠穩(wěn)定地處理4A的漏極電流,適合用于AC-DC適配器、小型UPS(不間斷電源)、小功率電源模塊等。這些應(yīng)用需要MOSFET提供有效的電流調(diào)節(jié)和電壓轉(zhuǎn)換功能,以確保電力轉(zhuǎn)換過程的穩(wěn)定性和高效性。

2. **電氣控制系統(tǒng)和過電壓保護電路**:
  在電氣控制系統(tǒng)中,SVF4N65EF-VB可作為保護元件使用,尤其是在需要高電壓耐受的控制電路中。它可以用于防止過電壓、過流等情況,并在電力系統(tǒng)中執(zhí)行電壓監(jiān)測和保護任務(wù)。平面技術(shù)使其在開關(guān)過程中能夠穩(wěn)定工作,適用于高電壓場合的安全控制電路,如電池保護、過載保護和過電壓保護電路。

3. **逆變器和變頻驅(qū)動器**:
  由于其650V的高耐壓,SVF4N65EF-VB廣泛應(yīng)用于逆變器和變頻驅(qū)動器中,特別是在低功率的光伏逆變器、風能逆變器等可再生能源系統(tǒng)中。在這些系統(tǒng)中,MOSFET幫助轉(zhuǎn)換直流電至交流電,并實現(xiàn)能量高效轉(zhuǎn)換。盡管導(dǎo)通電阻較高,但對于低功率逆變器,它仍能提供良好的電流控制和電壓調(diào)節(jié)功能,保障系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

4. **小型家電和電動工具**:
  在小型家電和電動工具中,SVF4N65EF-VB也可以用于功率轉(zhuǎn)換和電流調(diào)節(jié)應(yīng)用。該MOSFET能夠處理650V的電壓,適用于電動工具、LED驅(qū)動電源和其他需要高電壓電流調(diào)節(jié)的低功率設(shè)備。對于這些設(shè)備,SVF4N65EF-VB能夠有效控制電源電流,確保設(shè)備運行穩(wěn)定并減少開關(guān)噪聲。

5. **電池管理系統(tǒng)(BMS)和充電器**:
  由于其高電壓能力,SVF4N65EF-VB非常適合用于電池管理系統(tǒng)(BMS)和電池充電器中,特別是在需要高電壓調(diào)節(jié)和保護功能的系統(tǒng)中。在電池充電過程中,MOSFET用于控制充電電流,確保電池不會因過電流或過電壓而損壞,適用于鉛酸電池、鋰電池等充電應(yīng)用。

6. **功率電子設(shè)備中的保護與開關(guān)控制**:
  在其他一些高電壓功率電子設(shè)備中,SVF4N65EF-VB可作為關(guān)鍵的開關(guān)控制元件,用于功率轉(zhuǎn)換、開關(guān)保護和電流調(diào)節(jié)。比如高電壓電源系統(tǒng)、工業(yè)控制設(shè)備等,需要高電壓耐受的開關(guān)MOSFET,能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,確保系統(tǒng)的安全性和高效性。

### 總結(jié):

SVF4N65EF-VB是一款高電壓、低電流處理的N溝道MOSFET,具有650V的漏源電壓和4A的最大漏極電流,適用于中低功率的電力轉(zhuǎn)換和保護電路。它廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電氣控制、逆變器、小型家電、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域,能夠提供穩(wěn)定的電流調(diào)節(jié)和電壓轉(zhuǎn)換功能。雖然導(dǎo)通電阻較高,但其高電壓耐受能力使其在高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色,是一些低功率高電壓電力管理系統(tǒng)的理想選擇。

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