chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

TF10N65-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): TF10N65-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**TF10N65-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**

TF10N65-VB是一款高壓?jiǎn)螛ON通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET的漏源電壓(VDS)為650V,適用于需要高電壓控制的電子設(shè)備和電力系統(tǒng)。TF10N65-VB的門極閾值電壓(Vth)為3.5V,具有較高的耐壓能力和穩(wěn)定的導(dǎo)通特性。盡管其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為830mΩ(VGS=10V),相對(duì)較高,但其最大漏電流(ID)為10A,適合用于中電流負(fù)載的高壓開關(guān)應(yīng)用。采用Plannar技術(shù),TF10N65-VB具有較低的開關(guān)損耗和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高頻、高電壓的工作環(huán)境下能夠保持良好的性能。

**詳細(xì)參數(shù)說明**

- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)螛ON通道
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(門源電壓)**:±30V
- **Vth(門極閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)**:830mΩ@VGS=10V
- **ID(最大漏電流)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar技術(shù)

**適用領(lǐng)域與模塊舉例**

TF10N65-VB適用于高電壓應(yīng)用,尤其是需要650V耐壓的電源轉(zhuǎn)換和電力管理系統(tǒng)。該MOSFET廣泛應(yīng)用于AC-DC電源轉(zhuǎn)換器、電力供應(yīng)模塊、太陽能逆變器等高電壓電源系統(tǒng)。在太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)和工業(yè)電力控制中,TF10N65-VB能夠穩(wěn)定提供高壓電流的開關(guān)控制,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

此外,TF10N65-VB在電動(dòng)工具、電池充電器以及一些大功率電源模塊中也得到廣泛應(yīng)用。在這些應(yīng)用中,盡管其導(dǎo)通電阻較高,但仍能通過優(yōu)異的開關(guān)性能和耐壓能力提供可靠的電流控制。在UPS(不間斷電源)系統(tǒng)、變頻器及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,TF10N65-VB作為功率開關(guān)器件也有應(yīng)用,尤其是在需要高電壓但中等電流的應(yīng)用場(chǎng)景中,它能有效地傳輸和控制電流,提高系統(tǒng)效率。

由于采用Plannar技術(shù),TF10N65-VB能夠在高頻高電壓的工作環(huán)境下有效降低開關(guān)損耗,保證系統(tǒng)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。因此,在工業(yè)自動(dòng)化、通信電源模塊以及高功率電源領(lǐng)域,它都是可靠的選擇,特別適用于中等電流需求且要求高電壓承載能力的電源模塊。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    352瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    319瀏覽量