--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**TF10N65-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**
TF10N65-VB是一款高壓?jiǎn)螛ON通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET的漏源電壓(VDS)為650V,適用于需要高電壓控制的電子設(shè)備和電力系統(tǒng)。TF10N65-VB的門極閾值電壓(Vth)為3.5V,具有較高的耐壓能力和穩(wěn)定的導(dǎo)通特性。盡管其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為830mΩ(VGS=10V),相對(duì)較高,但其最大漏電流(ID)為10A,適合用于中電流負(fù)載的高壓開關(guān)應(yīng)用。采用Plannar技術(shù),TF10N65-VB具有較低的開關(guān)損耗和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高頻、高電壓的工作環(huán)境下能夠保持良好的性能。
**詳細(xì)參數(shù)說明**
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)螛ON通道
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(門源電壓)**:±30V
- **Vth(門極閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)**:830mΩ@VGS=10V
- **ID(最大漏電流)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar技術(shù)
**適用領(lǐng)域與模塊舉例**
TF10N65-VB適用于高電壓應(yīng)用,尤其是需要650V耐壓的電源轉(zhuǎn)換和電力管理系統(tǒng)。該MOSFET廣泛應(yīng)用于AC-DC電源轉(zhuǎn)換器、電力供應(yīng)模塊、太陽能逆變器等高電壓電源系統(tǒng)。在太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)和工業(yè)電力控制中,TF10N65-VB能夠穩(wěn)定提供高壓電流的開關(guān)控制,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
此外,TF10N65-VB在電動(dòng)工具、電池充電器以及一些大功率電源模塊中也得到廣泛應(yīng)用。在這些應(yīng)用中,盡管其導(dǎo)通電阻較高,但仍能通過優(yōu)異的開關(guān)性能和耐壓能力提供可靠的電流控制。在UPS(不間斷電源)系統(tǒng)、變頻器及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,TF10N65-VB作為功率開關(guān)器件也有應(yīng)用,尤其是在需要高電壓但中等電流的應(yīng)用場(chǎng)景中,它能有效地傳輸和控制電流,提高系統(tǒng)效率。
由于采用Plannar技術(shù),TF10N65-VB能夠在高頻高電壓的工作環(huán)境下有效降低開關(guān)損耗,保證系統(tǒng)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。因此,在工業(yè)自動(dòng)化、通信電源模塊以及高功率電源領(lǐng)域,它都是可靠的選擇,特別適用于中等電流需求且要求高電壓承載能力的電源模塊。
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