--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### TF4N60-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
TF4N60-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 型 MOSFET,具有650V 的高耐壓和 4A 的漏極電流能力。其具有較高的閾值電壓(V_th = 3.5V)和較高的導(dǎo)通電阻(R_DS(ON) = 2560mΩ @ V_GS = 10V)。TF4N60-VB 采用傳統(tǒng)的 Plannar 技術(shù),這使得其在高電壓環(huán)境下的性能表現(xiàn)穩(wěn)定,適合用于低至中等電流的功率控制應(yīng)用。盡管其導(dǎo)通電阻相對(duì)較高,但它仍適合一些電源轉(zhuǎn)換、交流電調(diào)節(jié)等中等功率需求的應(yīng)用場(chǎng)合。TF4N60-VB 的高耐壓和耐用性使其在一些高壓工作環(huán)境中依然能夠穩(wěn)定運(yùn)行。
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### TF4N60-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)螛O N 型 MOSFET(Single-N-Channel)
- **漏極至源極電壓 (V_DS)**:650V
- **柵源極電壓 (V_GS)**:±30V
- **閾值電壓 (V_th)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
- 2560mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏極電流 (I_D)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar 技術(shù)
- **最大功率損耗**:該 MOSFET 的高導(dǎo)通電阻可能導(dǎo)致較高的功率損耗,適用于較低電流和中等電壓的應(yīng)用。
- **導(dǎo)通電阻特性**:相對(duì)較高的導(dǎo)通電阻導(dǎo)致它在一些低效能的應(yīng)用中表現(xiàn)不如現(xiàn)代 Trench 技術(shù) MOSFET。
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### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
TF4N60-VB MOSFET 的 650V 高耐壓特性使其適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器中。雖然導(dǎo)通電阻較高,但在中等電流需求的場(chǎng)合下,依然能夠提供穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換功能。它在用于中功率開關(guān)電源(如 AC-DC 電源模塊)時(shí),能夠承受高電壓波動(dòng)并進(jìn)行有效的電能傳輸。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**:
TF4N60-VB 也可以用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,尤其是在中等功率的應(yīng)用中。它能夠處理高達(dá) 650V 的電壓,在工業(yè)電動(dòng)機(jī)控制和小型電動(dòng)工具的電流調(diào)節(jié)中發(fā)揮作用。盡管導(dǎo)通電阻較高,但它仍能滿足一些低功率和中功率電動(dòng)機(jī)的運(yùn)行需求。
3. **開關(guān)電源(SMPS)**:
在開關(guān)電源(Switch-Mode Power Supplies, SMPS)中,TF4N60-VB 可以作為開關(guān)元件,提供高效的電流控制。在電源的開關(guān)過程中,它承受高電壓時(shí)能夠保證電源系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行,盡管由于導(dǎo)通電阻較高,它的效率可能不如更先進(jìn)的 Trench 技術(shù)的 MOSFET。
4. **高壓交流調(diào)節(jié)器**:
該 MOSFET 適用于交流電源調(diào)節(jié)器,尤其是在需要承受較高電壓(如家電中常見的高電壓直流轉(zhuǎn)換)時(shí)使用。TF4N60-VB 的650V 耐壓能力保證了其在高電壓下的可靠工作,但由于較高的導(dǎo)通電阻,它更適用于低至中等功率的交流電調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
5. **小型家電與照明控制**:
在家用電器和照明控制系統(tǒng)中,TF4N60-VB 能夠提供所需的高壓開關(guān)控制。它可以用于某些低至中等功率的家用電器,如小型風(fēng)扇、空調(diào)的電力開關(guān)控制系統(tǒng),或者在一些中等功率的照明設(shè)備中作為開關(guān)元件使用。
6. **電氣保護(hù)和過壓保護(hù)**:
TF4N60-VB 的高耐壓能力使其適用于電氣保護(hù)電路,尤其是用于過壓保護(hù)和電流保護(hù)系統(tǒng)中。它能夠有效地承受瞬時(shí)高電壓沖擊,防止電路中其他元件被損壞,尤其是在高電壓環(huán)境中,它能夠穩(wěn)定工作。
7. **高壓測(cè)量和電池保護(hù)系統(tǒng)**:
該 MOSFET 可以用于電池管理系統(tǒng)(BMS)中的高壓隔離和過電壓保護(hù)模塊,尤其適用于需要對(duì)高電壓電池進(jìn)行保護(hù)的應(yīng)用,如電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中,TF4N60-VB 可用于處理高壓電池系統(tǒng)中的電流流動(dòng)和保護(hù)功能。
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### 總結(jié)
TF4N60-VB 是一款 650V 高耐壓的單極 N 型 MOSFET,適用于中等電流(最大 4A)和高電壓(最大 650V)要求的應(yīng)用。盡管導(dǎo)通電阻較高(2560mΩ),其高耐壓和穩(wěn)定的性能使其成為一些高電壓環(huán)境中較為經(jīng)濟(jì)的選擇。TF4N60-VB 適用于高壓電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源、交流電調(diào)節(jié)器等領(lǐng)域,特別適合需要較高耐壓和中等功率需求的場(chǎng)合。
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