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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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TF5N50-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: TF5N50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**TF5N50-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**

TF5N50-VB是一款高耐壓N通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為中高電壓電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET具有650V的漏源電壓(VDS),適合用于高電壓電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其門極閾值電壓(Vth)為3.5V,能夠在較低的門極電壓下開啟,確??焖夙憫?yīng)。TF5N50-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ(VGS=10V),相對較高,適用于低電流的應(yīng)用。該MOSFET的最大漏電流(ID)為7A,適用于需要較低電流和較高電壓的應(yīng)用。TF5N50-VB采用Plannar技術(shù),這種技術(shù)適合于需要較高電壓承載能力的應(yīng)用,盡管導(dǎo)通電阻相對較高,但在低電流、高電壓環(huán)境下仍能提供穩(wěn)定的開關(guān)控制。

**詳細參數(shù)說明**

- **封裝**:TO220F
- **配置**:單極N通道
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(門源電壓)**:±30V
- **Vth(門極閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)**:1100mΩ@VGS=10V
- **ID(最大漏電流)**:7A
- **技術(shù)**:Plannar技術(shù)

**適用領(lǐng)域與模塊舉例**

TF5N50-VB的650V耐壓使其適用于需要高電壓承載的電源管理和功率控制模塊,特別是在中高電壓電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但由于其較高的耐壓特性,它仍能在一些中低電流的應(yīng)用中提供可靠的性能。TF5N50-VB廣泛應(yīng)用于AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、過載保護電路以及電源模塊中,特別適用于需要高電壓和較低電流的場景。

在電動工具、工業(yè)設(shè)備以及一些高電壓驅(qū)動系統(tǒng)中,TF5N50-VB也能夠提供穩(wěn)定的電流控制,尤其適用于需要650V高電壓支持的電力系統(tǒng)。該器件的Plannar技術(shù)使其適合用于要求高電壓耐受的環(huán)境,盡管在大電流應(yīng)用中可能存在較高的導(dǎo)通損耗,但在中低電流系統(tǒng)中仍能提供有效的性能。

此外,TF5N50-VB還可以用于不間斷電源(UPS)系統(tǒng)和一些電力傳輸模塊。雖然導(dǎo)通電阻較高,但其高耐壓特性使其能夠在對電壓要求較為嚴(yán)格的電力應(yīng)用中提供可靠的開關(guān)控制,特別是在需要高耐壓且中低電流的應(yīng)用場合。

總結(jié)來說,TF5N50-VB特別適用于高電壓電源模塊、功率控制應(yīng)用及電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng),尤其在較低電流負(fù)載情況下展現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和可靠性。

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