--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. **TF7N60FD-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
TF7N60FD-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 溝 MOSFET,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì),最大漏源電壓(VDS)為 650V,適合用于需要高耐壓和穩(wěn)健性能的場(chǎng)合。該 MOSFET 配備了平面(Plannar)技術(shù),提供高效的導(dǎo)通性能,且具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 1100mΩ@VGS=10V),確保在中等功率開關(guān)應(yīng)用中具有優(yōu)異的效率和穩(wěn)定性。最大漏電流(ID)為 7A,使得 TF7N60FD-VB 在工業(yè)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及高電壓應(yīng)用中具有廣泛的適用性。
### 2. **TF7N60FD-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **封裝類型:** TO220F
- **配置:** 單 N 溝 MOSFET
- **漏源電壓(VDS):** 650V
- **柵源電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 1100mΩ@VGS=10V
- **最大漏電流(ID):** 7A
- **最大功耗(Ptot):** 80W(依賴于散熱條件)
- **最大結(jié)溫(Tj):** 150°C
- **工作溫度范圍:** -55°C 至 +150°C
- **熱阻(RthJC):** 2.5°C/W(源到結(jié))
- **技術(shù):** Plannar 技術(shù)
- **最大驅(qū)動(dòng)電壓:** ±30V
### 3. **TF7N60FD-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:**
#### **1. 開關(guān)電源(SMPS):**
TF7N60FD-VB 由于其高耐壓特性(650V VDS)和適中的電流承載能力(ID = 7A),在開關(guān)電源(SMPS)應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。在高電壓要求的電源轉(zhuǎn)換中,TF7N60FD-VB 提供了低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn),能有效減少開關(guān)損耗,提高能效。廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、電視機(jī)電源、LED 驅(qū)動(dòng)電源和通訊電源等領(lǐng)域。
#### **2. 逆變器應(yīng)用:**
在太陽能逆變器、風(fēng)能逆變器和電動(dòng)汽車逆變器等領(lǐng)域,TF7N60FD-VB 作為高耐壓、可靠性強(qiáng)的 MOSFET,非常適合用于直流電(DC)到交流電(AC)的能量轉(zhuǎn)換。在這些高壓電力電子系統(tǒng)中,TF7N60FD-VB 能提供高效的開關(guān)操作,減少能量損耗,并提高系統(tǒng)的整體轉(zhuǎn)換效率。
#### **3. 電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)與電機(jī)控制:**
TF7N60FD-VB 也可應(yīng)用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和電機(jī)控制模塊。由于其高漏源電壓(650V)和高電流承載能力(7A),它適用于工業(yè)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)和交流電機(jī)控制系統(tǒng)。該 MOSFET 可以在驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī)時(shí),保證穩(wěn)定的開關(guān)操作和有效的能量控制。
#### **4. 電力轉(zhuǎn)換器與穩(wěn)壓電源:**
TF7N60FD-VB 適用于各種電力轉(zhuǎn)換器,特別是高電壓和高功率穩(wěn)壓電源中。它可作為功率開關(guān)元件,用于高效地將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓,在電力系統(tǒng)中的調(diào)節(jié)和穩(wěn)定中起到關(guān)鍵作用。例如,工業(yè)用的電力轉(zhuǎn)換器、配電系統(tǒng)以及電力調(diào)節(jié)模塊等。
#### **5. 高壓電源和功率供應(yīng)系統(tǒng):**
TF7N60FD-VB 的高漏源電壓使其適用于需要高耐壓的應(yīng)用,如高壓電源和大功率電源供應(yīng)系統(tǒng)。在一些如電力傳輸和配電中的高壓電源模塊中,TF7N60FD-VB 能有效地承受高電壓,確保電源穩(wěn)定供應(yīng)并提供可靠的電流控制。
#### **6. 電池管理系統(tǒng)(BMS):**
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,TF7N60FD-VB 也能夠提供高效的電流開關(guān)和電池充放電控制。適用于高電壓的電池管理應(yīng)用,確保電池在充電與放電過程中的安全性和高效能。
#### **7. 電力電子保護(hù)系統(tǒng):**
TF7N60FD-VB 適合用于電力電子保護(hù)系統(tǒng),如過載保護(hù)、短路保護(hù)等模塊。它能夠可靠地承載和控制大電流,確保電力系統(tǒng)在異常情況下迅速保護(hù)和斷開,避免損壞其他敏感組件。
#### **8. 高壓傳輸與調(diào)節(jié)系統(tǒng):**
TF7N60FD-VB 在一些高壓電力傳輸系統(tǒng)中也有應(yīng)用。由于其650V 的耐壓能力,該 MOSFET 能有效地承受高電壓,在電力調(diào)節(jié)系統(tǒng)中應(yīng)用于電流控制、功率調(diào)節(jié)和電能變換等任務(wù)。
### 總結(jié):
TF7N60FD-VB 是一款高性能的單 N 溝 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于高電壓、高功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。其 650V 的漏源電壓、較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 1100mΩ@VGS=10V)以及 7A 的漏電流承載能力,使其成為開關(guān)電源、電池管理、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力調(diào)節(jié)及高壓電源應(yīng)用中的理想選擇。TF7N60FD-VB 能提供高效的開關(guān)操作,減少能量損耗,確保系統(tǒng)的高效能和可靠性,是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛