**TF8N60-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**
TF8N60-VB是一款高耐壓N通道MOSFET，采用TO220F封裝，專為中高電壓電源控制和開關(guān)應用設計。該MOSFET具有650V的漏源電壓（VDS），能夠承受較高電壓的工作環(huán)境。其門極閾值電壓（Vth）為3.5V，確保能夠在較低的門極電壓下開啟。TF8N60-VB的導通電阻（RDS(ON)）為830mΩ（VGS=10V），適用于中等電流和較高電壓的應用。最大漏電流（ID）為10A，適合于需要中等功率和高電壓的場合。TF8N60-VB采用Plannar技術(shù)，提供穩(wěn)定的開關(guān)特性和較高的耐壓能力，廣泛應用于電力管理、電源轉(zhuǎn)換和電力驅(qū)動系統(tǒng)。
**詳細參數(shù)說明**
- **封裝**：TO220F
- **配置**：單極N通道
- **VDS（漏源電壓）**：650V
- **VGS（門源電壓）**：±30V
- **Vth（門極閾值電壓）**：3.5V
- **RDS(ON)**：830mΩ@VGS=10V
- **ID（最大漏電流）**：10A
- **技術(shù)**：Plannar技術(shù)
**適用領域與模塊舉例**
TF8N60-VB的650V耐壓使其適用于需要高電壓電力管理和開關(guān)控制的領域。盡管其導通電阻較高，但它仍然能夠在一些中等功率、低電流負載的應用中提供可靠的性能。TF8N60-VB廣泛應用于AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源模塊、過載保護系統(tǒng)等電力轉(zhuǎn)換領域。
在電力驅(qū)動系統(tǒng)中，如電動工具、家電、LED照明驅(qū)動器和工業(yè)控制系統(tǒng)等，TF8N60-VB能夠提供穩(wěn)定的電流開關(guān)控制，尤其是在要求較高電壓和中等電流的環(huán)境中。其Plannar技術(shù)使得該MOSFET在高電壓應用中具有良好的穩(wěn)定性和耐用性，盡管在高電流應用下導通電阻相對較高，但仍能夠滿足多數(shù)中低功率應用的要求。
此外，TF8N60-VB還適用于不間斷電源（UPS）系統(tǒng)和功率控制模塊等電力傳輸系統(tǒng)。其650V耐壓和較低的導通電阻使其適合用于電壓要求較高的電力轉(zhuǎn)換和電源管理應用，特別是在需要較高開關(guān)效率和可靠性的系統(tǒng)中。
總之，TF8N60-VB適合應用于中電壓電力轉(zhuǎn)換、電源管理模塊、驅(qū)動系統(tǒng)和UPS等領域，提供穩(wěn)定、可靠的開關(guān)控制和電壓管理能力。
