chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

IRFR210ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR210ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR210ATM-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR210ATM-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于中等電壓應(yīng)用,具有 200V 的漏源極電壓 (VDS) 和 5A 的漏極電流 (ID)。IRFR210ATM-VB 使用 Trench 技術(shù),以降低導(dǎo)通電阻,在 10V 柵源極電壓下導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 850mΩ。開啟電壓 (Vth) 為 3V,適合在較低柵源極電壓下進(jìn)行高效開關(guān)操作。

### 二、IRFR210ATM-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)  
- **漏源極電壓 (VDS)**: 200V  
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 850mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 5A  
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)  
- **功率耗散**: 由于較高的導(dǎo)通電阻,功率耗散相對(duì)較大,但仍適合于某些中等功率應(yīng)用。

### 三、IRFR210ATM-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **中等電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
  IRFR210ATM-VB 在中等電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中可以作為開關(guān)元件,處理高達(dá) 200V 的輸入電壓。其較高的導(dǎo)通電阻使其適合于需要中等電流的轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,適用于電源管理系統(tǒng)中需要處理較高電壓的部分。

2. **電機(jī)控制**
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,IRFR210ATM-VB 能夠處理高達(dá) 5A 的電流,非常適合于電動(dòng)工具和小型電機(jī)控制系統(tǒng)。盡管導(dǎo)通電阻相對(duì)較高,但其電流能力和高電壓處理能力使其適用于要求不特別高效的電機(jī)控制應(yīng)用。

3. **功率開關(guān)**
  適用于需要高電壓耐受能力的功率開關(guān)應(yīng)用。IRFR210ATM-VB 可以用作開關(guān)控制中等功率負(fù)載,適合于需要穩(wěn)定開關(guān)性能的電力管理和控制系統(tǒng)。

4. **高電壓保護(hù)**
  由于其 200V 的高漏源極電壓,IRFR210ATM-VB 適用于高電壓保護(hù)電路,如電源保護(hù)和過壓保護(hù)應(yīng)用。其能夠處理較高的電壓負(fù)載,適合用于需要電壓保護(hù)的模塊。

5. **照明驅(qū)動(dòng)**
  盡管導(dǎo)通電阻較高,IRFR210ATM-VB 仍可用于需要高電壓耐受能力的照明驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),如高壓燈具和其他中等功率照明模塊。其高電壓耐受能力能夠有效保護(hù)照明系統(tǒng)免受電壓波動(dòng)的影響。

IRFR210ATM-VB 適用于各種需要中等電壓和電流處理的應(yīng)用,尤其是在高電壓環(huán)境下的開關(guān)和控制系統(tǒng)中。雖然其導(dǎo)通電阻較高,但其可靠的開關(guān)性能和高電壓處理能力使其在特定的應(yīng)用場(chǎng)景中非常有價(jià)值。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    352瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    319瀏覽量