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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR214ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR214ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR214ATM-VB 產(chǎn)品簡介

IRFR214ATM-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設(shè)計(jì)用于處理中等電壓和電流負(fù)載。該 MOSFET 的漏源極電壓 (VDS) 高達(dá) 250V,漏極電流 (ID) 為 4.5A。它使用 Trench 技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻,在 10V 的柵源極電壓下,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 640mΩ。開啟電壓 (Vth) 為 3V,使其適合在較低的柵源極電壓下可靠地進(jìn)行開關(guān)操作。

### 二、IRFR214ATM-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)  
- **漏源極電壓 (VDS)**: 250V  
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 640mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 4.5A  
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)  
- **功率耗散**: 由于中等導(dǎo)通電阻,功率耗散適中,適合于需要中等功率處理的應(yīng)用。

### 三、IRFR214ATM-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
  IRFR214ATM-VB 可用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件,適合處理中等電壓和電流的轉(zhuǎn)換需求。其 250V 的漏源極電壓使其能夠處理高輸入電壓,適用于需要中等功率的電源管理和電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

2. **電機(jī)控制**
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,IRFR214ATM-VB 適合用于處理高達(dá) 4.5A 的電流,特別適合中等功率的電動(dòng)工具和小型電機(jī)控制系統(tǒng)。盡管其導(dǎo)通電阻相對(duì)較高,但仍能提供足夠的電流能力和電壓耐受性。

3. **功率開關(guān)**
  IRFR214ATM-VB 作為功率開關(guān)在各種電源和控制電路中應(yīng)用廣泛,能夠可靠地開關(guān) 250V 電壓下的負(fù)載。適用于電力開關(guān)、控制電路和電源保護(hù)等領(lǐng)域。

4. **高電壓保護(hù)**
  由于其高達(dá) 250V 的漏源極電壓,IRFR214ATM-VB 適用于高電壓保護(hù)電路,如電源過壓保護(hù)。其高電壓處理能力可以有效保護(hù)電路免受過電壓影響。

5. **照明系統(tǒng)**
  盡管其導(dǎo)通電阻較高,IRFR214ATM-VB 也適合用于高電壓的照明系統(tǒng)中,特別是需要中等電流的照明驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。它的高電壓耐受性使其適合用于高壓燈具和其他需要高電壓開關(guān)的照明模塊。

IRFR214ATM-VB 以其較高的電壓處理能力和中等電流處理能力,適合用于多種需要中等功率和高電壓的應(yīng)用場景中,提供可靠的開關(guān)性能和穩(wěn)定的電力控制。

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