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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR2307ZTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR2307ZTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR2307ZTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IRFR2307ZTRPBF-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,封裝形式為T(mén)O252。該MOSFET使用Trench技術(shù)制造,具有高達(dá)100V的漏源極電壓(VDS)耐受能力和優(yōu)異的導(dǎo)通性能。它在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為18mΩ,能夠承載高達(dá)45A的漏極電流(ID)。其閾值電壓(Vth)為1.8V,使其在低柵電壓下也能有效開(kāi)關(guān)。IRFR2307ZTRPBF-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于各種高效能的電力轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### IRFR2307ZTRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **型號(hào)**: IRFR2307ZTRPBF-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 18mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 45A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: 通常在 -55°C 至 +150°C 之間

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: IRFR2307ZTRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其非常適合用于高效能的DC-DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,它能夠提供高效的開(kāi)關(guān)性能,減少功率損耗,提升轉(zhuǎn)換效率。

2. **電源管理系統(tǒng)**: 在電源管理系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)和電源分配模塊,該MOSFET能夠有效地控制電源開(kāi)關(guān),處理高電流負(fù)載,從而提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**: IRFR2307ZTRPBF-VB 適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用,其高電流承載能力能夠滿(mǎn)足電機(jī)控制系統(tǒng)對(duì)高電流和高效率的要求,確保平穩(wěn)的電機(jī)運(yùn)行和控制。

4. **高效LED驅(qū)動(dòng)器**: 在高效LED驅(qū)動(dòng)器中,該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)LED負(fù)載,確保高亮度和長(zhǎng)壽命。

IRFR2307ZTRPBF-VB 的高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻和寬工作電壓范圍使其在DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及高效LED驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中表現(xiàn)出色,提供高效能和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能。

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