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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR2605-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR2605-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR2605-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

IRFR2605-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,封裝形式為TO252,采用Trench技術(shù)制造。該MOSFET 具有60V的漏源極電壓(VDS)耐受能力和優(yōu)良的導(dǎo)通性能。在VGS=10V時(shí),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為73mΩ,在VGS=4.5V時(shí)為85mΩ。最大漏極電流(ID)為18A,閾值電壓(Vth)為1.7V。這使得IRFR2605-VB 在多種高效開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,提供穩(wěn)定的性能和高效能。

### IRFR2605-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**: IRFR2605-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ@VGS=4.5V
 - 73mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: 通常在 -55°C 至 +150°C 之間

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **開關(guān)電源**: IRFR2605-VB 適用于各種開關(guān)電源應(yīng)用。它的低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力使其非常適合在高效開關(guān)電源中工作,有助于減少功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

2. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET能夠有效控制電流的開關(guān),確保電池充放電過程中的安全和高效。其低導(dǎo)通電阻也有助于減少電池管理系統(tǒng)的功率損耗。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**: IRFR2605-VB 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。其能夠處理高電流,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,適用于需要高效率和可靠性的電機(jī)控制系統(tǒng)。

4. **LED驅(qū)動(dòng)器**: 在LED驅(qū)動(dòng)器中,該MOSFET 可以穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)LED負(fù)載,提供所需的電流并控制LED的亮度。低導(dǎo)通電阻有助于提高驅(qū)動(dòng)器的效率,延長(zhǎng)LED的使用壽命。

IRFR2605-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及LED驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,提供可靠的性能和高效能。

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