chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

IRFR310T-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR310T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2200mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR310T-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO252。這款 MOSFET 能夠承受高達(dá) 650V 的漏源電壓(VDS),并且具有 ±30V 的柵源電壓(VGS)范圍。它的開啟閾值電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2750mΩ(@VGS=4.5V)和 2200mΩ(@VGS=10V),可以處理最大 4A 的漏極電流(ID)。IRFR310T-VB 采用 Plannar 技術(shù),適合用于需要高電壓和穩(wěn)定性能的應(yīng)用場(chǎng)景。

詳細(xì)參數(shù)說明
封裝: TO252
極性: 單一 N 溝道
最大漏源電壓 (VDS): 650V
最大柵源電壓 (VGS): ±30V
開啟閾值電壓 (Vth): 3.5V
導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):
2750mΩ @ VGS=4.5V
2200mΩ @ VGS=10V
最大漏極電流 (ID): 4A
功耗 (Ptot): 80W
工作溫度范圍: -55°C 至 +175°C
技術(shù): Plannar
應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
高壓電源開關(guān): IRFR310T-VB 的高漏源電壓(650V)使其非常適合用于高壓電源開關(guān)應(yīng)用,例如在高電壓電源系統(tǒng)中,能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和高耐壓能力,確保電源系統(tǒng)的安全和可靠性。

電氣保護(hù)電路: 在需要高電壓保護(hù)的電路中,如電氣保護(hù)模塊和過壓保護(hù)電路,IRFR310T-VB 的高耐壓能力和穩(wěn)定性能能夠有效保護(hù)電路免受過壓影響,增加電氣設(shè)備的安全性和耐用性。

高壓逆變器: 在高壓逆變器中,IRFR310T-VB 可以用作開關(guān)元件,處理高電壓和電流,確保逆變器的高效運(yùn)行和穩(wěn)定輸出。其高漏源電壓適合用于太陽(yáng)能逆變器和其他高壓逆變系統(tǒng)。

工業(yè)設(shè)備: 在工業(yè)設(shè)備中,例如高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源系統(tǒng),IRFR310T-VB 的高耐壓和高功率處理能力使其能夠可靠地承受高電壓和電流負(fù)荷,提高設(shè)備的性能和穩(wěn)定性。

IRFR310T-VB 的高電壓耐受能力和穩(wěn)定性能,使其在高壓電源開關(guān)、電氣保護(hù)電路、高壓逆變器以及工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,提供了可靠的開關(guān)和控制功能

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    469瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    408瀏覽量