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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR3303CPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR3303CPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRFR3303CPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO252封裝。該MOSFET設(shè)計(jì)用于低電壓和高電流應(yīng)用,最大漏極源極電壓(VDS)為30V,漏極電流(ID)為70A。它使用Trench技術(shù),以提供非常低的導(dǎo)通電阻和卓越的開(kāi)關(guān)性能。IRFR3303CPBF-VB在低電壓高電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合用于需要高效能量傳輸和開(kāi)關(guān)控制的各種電子系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IRFR3303CPBF-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ(VGS = 4.5V)
 - 7mΩ(VGS = 10V)
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**:
  - IRFR3303CPBF-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是在低電壓高電流應(yīng)用中。其極低的導(dǎo)通電阻(7mΩ@VGS=10V)有助于減少功率損耗和提高整體效率,使其適合用于高效電源轉(zhuǎn)換器和電源開(kāi)關(guān)。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  - 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其成為理想的開(kāi)關(guān)元件。其70A的漏極電流能力和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能確保了高效的電壓轉(zhuǎn)換,適合用于高功率的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  - IRFR3303CPBF-VB 非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,特別是在需要高電流和低電壓的應(yīng)用中。其能夠處理70A的高電流,同時(shí)保持低導(dǎo)通電阻,提供穩(wěn)定的電機(jī)控制性能。

4. **電池保護(hù)和管理**:
  - 在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET用于保護(hù)電池免受過(guò)電流和過(guò)電壓的影響。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效管理電池的充放電過(guò)程,確保電池系統(tǒng)的穩(wěn)定和高效。

這些應(yīng)用示例展示了IRFR3303CPBF-VB在低電壓和高電流應(yīng)用中的卓越性能,適合用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。

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