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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR3303TRLPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR3303TRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR3303TRLPBF-VB 產(chǎn)品簡介

IRFR3303TRLPBF-VB 是一款高性能的N型MOSFET,采用TO252封裝,專為高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET 支持最大30V的漏源電壓(VDS),柵源電壓(VGS)最大為±20V,具有低閾值電壓(Vth)為1.7V。IRFR3303TRLPBF-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為9mΩ,而在VGS=10V時為7mΩ,能夠承受最大70A的連續(xù)漏極電流。其采用Trench技術(shù),提供了卓越的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,使其在高效能應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### IRFR3303TRLPBF-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單通道N型MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 9mΩ(在VGS=4.5V時)
 - 7mΩ(在VGS=10V時)
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽型)
- **最大功耗**:根據(jù)具體的散熱設(shè)計和應(yīng)用環(huán)境決定
- **熱阻**:取決于封裝和散熱條件

### 適用領(lǐng)域與模塊

IRFR3303TRLPBF-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于各種需要高效電流開關(guān)和功率管理的應(yīng)用。以下是一些具體應(yīng)用示例:

1. **電源開關(guān)**:
  IRFR3303TRLPBF-VB 適用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源(SMPS),能夠顯著提高電源的轉(zhuǎn)換效率,并減少功率損耗。

2. **負載開關(guān)**:
  在負載開關(guān)應(yīng)用中,IRFR3303TRLPBF-VB 可用于控制高電流負載。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠穩(wěn)定地開關(guān)大功率負載,廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備和家用電器中。

3. **電機驅(qū)動**:
  IRFR3303TRLPBF-VB 在電機驅(qū)動系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效控制電動機,適用于中等功率電機驅(qū)動模塊,提供穩(wěn)定和高效的電機控制。

4. **汽車電子**:
  在汽車電子系統(tǒng)中,IRFR3303TRLPBF-VB 可用于電池管理和功率控制應(yīng)用。由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,它能夠滿足汽車電子對功率開關(guān)和管理的高要求。

5. **功率管理系統(tǒng)**:
  IRFR3303TRLPBF-VB 適用于各種功率管理系統(tǒng),如電池保護電路和電源分配模塊。其優(yōu)良的開關(guān)性能和高電流能力能確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定運行。

綜上所述,IRFR3303TRLPBF-VB 以其優(yōu)異的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,在電源開關(guān)、負載控制、電機驅(qū)動、汽車電子以及功率管理等領(lǐng)域提供了可靠和高效的解決方案。

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