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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR3410TR-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR3410TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

IRFR310T-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO252。這款 MOSFET 能夠承受高達 650V 的漏源電壓(VDS),并且具有 ±30V 的柵源電壓(VGS)范圍。它的開啟閾值電壓(Vth)為 3.5V,導通電阻(RDS(ON))為 2750mΩ(@VGS=4.5V)和 2200mΩ(@VGS=10V),可以處理最大 4A 的漏極電流(ID)。IRFR310T-VB 采用 Plannar 技術(shù),適合用于需要高電壓和穩(wěn)定性能的應(yīng)用場景。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2750mΩ @ VGS=4.5V
 - 2200mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **功耗 (Ptot)**: 80W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源開關(guān)**: IRFR310T-VB 的高漏源電壓(650V)使其非常適合用于高壓電源開關(guān)應(yīng)用,例如在高電壓電源系統(tǒng)中,能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和高耐壓能力,確保電源系統(tǒng)的安全和可靠性。

2. **電氣保護電路**: 在需要高電壓保護的電路中,如電氣保護模塊和過壓保護電路,IRFR310T-VB 的高耐壓能力和穩(wěn)定性能能夠有效保護電路免受過壓影響,增加電氣設(shè)備的安全性和耐用性。

3. **高壓逆變器**: 在高壓逆變器中,IRFR310T-VB 可以用作開關(guān)元件,處理高電壓和電流,確保逆變器的高效運行和穩(wěn)定輸出。其高漏源電壓適合用于太陽能逆變器和其他高壓逆變系統(tǒng)。

4. **工業(yè)設(shè)備**: 在工業(yè)設(shè)備中,例如高壓電機驅(qū)動和工業(yè)電源系統(tǒng),IRFR310T-VB 的高耐壓和高功率處理能力使其能夠可靠地承受高電壓和電流負荷,提高設(shè)備的性能和穩(wěn)定性。

IRFR310T-VB 的高電壓耐受能力和穩(wěn)定性能,使其在高壓電源開關(guān)、電氣保護電路、高壓逆變器以及工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,提供了可靠的開關(guān)和控制功能。

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