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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR9010TF-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR9010TF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介:
IRFR9010TF-VB是一款高性能單P溝道MOSFET,封裝類型為TO252,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)。該器件具有高負(fù)電壓承受能力,漏源電壓(VDS)達(dá)到-60V,最大漏極電流為-30A。其柵源電壓(VGS)額定值為±20V,門極閾值電壓為-1.7V,使其在負(fù)電壓應(yīng)用中具備良好的開關(guān)性能。IRFR9010TF-VB的導(dǎo)通電阻在VGS為4.5V時為72mΩ,在VGS為10V時為61mΩ,提供了低功耗、高效率的開關(guān)能力,非常適合用于功率管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 72mΩ @ VGS=4.5V,61mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -30A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
- **電源管理系統(tǒng)**:IRFR9010TF-VB適用于電源管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān),如DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高側(cè)開關(guān)。在這些應(yīng)用中,其高負(fù)電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻能夠確保高效的功率轉(zhuǎn)換和可靠的系統(tǒng)運行。

- **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,如車載充電器、電動窗控制以及電動座椅調(diào)整等模塊,這款MOSFET能夠提供穩(wěn)定的負(fù)載開關(guān)功能。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠處理汽車環(huán)境中的高功率需求。

- **電機(jī)控制**:在電機(jī)控制應(yīng)用中,如無刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器中,IRFR9010TF-VB能夠高效地開關(guān)負(fù)載,減少功率損耗,提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。其負(fù)電壓能力也使其適合用于反向電流保護(hù)和電機(jī)反轉(zhuǎn)控制。

- **逆變器和電力轉(zhuǎn)換器**:該MOSFET適用于太陽能逆變器和其他電力轉(zhuǎn)換模塊中。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高功率應(yīng)用中有效地開關(guān)負(fù)載,確保系統(tǒng)的高效能和長壽命。

這些應(yīng)用示例表明IRFR9010TF-VB在多個需要高負(fù)電壓和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用領(lǐng)域中都能提供卓越的性能,適用于高功率、高效能的電源和控制系統(tǒng)。

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