--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IRLR3303TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRLR3303TRPBF-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。它專為處理中等電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì),提供了優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗。該MOSFET 支持最高30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),具有1.7V的柵閾值電壓(Vth)。IRLR3303TRPBF-VB 的導(dǎo)通電阻為9mΩ(在VGS=4.5V時(shí))和7mΩ(在VGS=10V時(shí)),能夠處理高達(dá)70A的漏極電流。采用Trench(溝槽)技術(shù),這款MOSFET 能夠提供低導(dǎo)通損耗和高效的開關(guān)性能,適用于各種需要高電流和中等電壓的應(yīng)用場(chǎng)合。
### IRLR3303TRPBF-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)類型**: Trench(溝槽)技術(shù)
- **最大功率耗散 (PD)**: 2.5W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **封裝引腳**: 三引腳(Drain, Gate, Source)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理**
- 在電源管理系統(tǒng)中,IRLR3303TRPBF-VB 是一種理想的開關(guān)元件,特別適用于高電流應(yīng)用。它可以用作開關(guān)電源、開關(guān)適配器和電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)元件。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,它可以有效提高電源效率和穩(wěn)定性,減少功耗和熱量。
2. **負(fù)載開關(guān)**
- 在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,IRLR3303TRPBF-VB 可以控制高電流負(fù)載的開關(guān),如在家用電器、工業(yè)設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)中。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地開關(guān)負(fù)載,提高設(shè)備的運(yùn)行可靠性和效率。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
- IRLR3303TRPBF-VB 適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),作為電機(jī)控制中的開關(guān)元件。它能夠在電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車以及家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)中提供高效的控制和調(diào)速,憑借其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)控制。
4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
- 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,IRLR3303TRPBF-VB 能夠高效地進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換。作為開關(guān)元件,它可以應(yīng)用于電壓調(diào)節(jié)模塊和電源管理系統(tǒng)中。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力確保了電源轉(zhuǎn)換的穩(wěn)定性和高效性。
IRLR3303TRPBF-VB 是一款具有優(yōu)異性能的N溝道MOSFET,適用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等多個(gè)領(lǐng)域,為電子設(shè)備提供高效、可靠的開關(guān)控制。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛