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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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ISL9N2357D3ST-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): ISL9N2357D3ST-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### ISL9N2357D3ST-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

ISL9N2357D3ST-VB 是一款高效能的單極N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為要求較低電壓和高電流的應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款MOSFET的漏源極電壓(VDS)為30V,柵極電壓承受能力為±20V。它具有優(yōu)良的導(dǎo)通特性,采用溝槽式技術(shù)(Trench Technology),在提供低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))的同時(shí),確保了高達(dá)70A的漏極電流能力,適合于多種高效開關(guān)應(yīng)用。

### ISL9N2357D3ST-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **封裝類型**: TO252  
2. **配置**: 單一N溝道  
3. **漏源極電壓(VDS)**: 30V  
4. **柵源極電壓(VGS)**: ±20V  
5. **開啟電壓(Vth)**: 1.7V  
6. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
  - 9mΩ@VGS=4.5V  
  - 7mΩ@VGS=10V  
7. **最大漏極電流(ID)**: 70A  
8. **技術(shù)**: 溝槽式(Trench)MOSFET  
9. **工作頻率**: 高速開關(guān)  
10. **功率損耗**: 低導(dǎo)通損耗,適合高效率轉(zhuǎn)換電路  
11. **工作溫度范圍**: 適應(yīng)寬溫度范圍應(yīng)用場(chǎng)景  

### 適用領(lǐng)域和模塊應(yīng)用

1. **電源管理模塊**: ISL9N2357D3ST-VB 非常適合用于直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源(SMPS),其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠有效提高能效,減少熱量產(chǎn)生。

2. **電動(dòng)工具和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**: 在電動(dòng)工具和電機(jī)控制器中,這款MOSFET的70A電流能力和高效率使其能夠滿足高功率需求,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行,適合各種工業(yè)和家庭應(yīng)用。

3. **汽車電子**: ISL9N2357D3ST-VB 可廣泛應(yīng)用于汽車電源管理系統(tǒng)、照明控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,能夠在苛刻環(huán)境下保持高效性能,保證汽車電子設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**: 該MOSFET非常適合用于電池管理和保護(hù)電路,能夠有效控制充電和放電過(guò)程,提高電池的安全性和使用壽命。

5. **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備**: 在工業(yè)自動(dòng)化中,ISL9N2357D3ST-VB 可用于機(jī)器人控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,憑借其高效率和低導(dǎo)通損耗,為各種自動(dòng)化應(yīng)用提供穩(wěn)定可靠的支持。

通過(guò)這些應(yīng)用,ISL9N2357D3ST-VB 展現(xiàn)了其在低電壓、高電流開關(guān)領(lǐng)域中的強(qiáng)大優(yōu)勢(shì)和廣泛適用性。

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