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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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ISL9N306AD3ST-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: ISL9N306AD3ST-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
ISL9N306AD3ST-VB 是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電流和低電壓應(yīng)用設(shè)計。其額定漏源電壓(VDS)為30V,最大漏極電流(ID)可達(dá)80A,能夠滿足許多高效能電路的需求。得益于Trench技術(shù),該器件在較低的柵極驅(qū)動電壓下(如4.5V和10V)提供超低的導(dǎo)通電阻,分別為6mΩ和5mΩ,使其非常適合用于高效電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵極電壓(VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench MOSFET
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **柵極電荷(Qg)**: 20nC (典型值)
- **體二極管反向恢復(fù)時間(trr)**: 25ns (典型值)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**: ISL9N306AD3ST-VB 非常適合用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,能夠在高負(fù)載條件下實現(xiàn)出色的能效,適用于工業(yè)電源和便攜式設(shè)備。

2. **電機驅(qū)動**: 該MOSFET的高電流處理能力使其成為電機驅(qū)動控制電路的理想選擇,適合用于無刷電機、直流電機及步進(jìn)電機的控制應(yīng)用,廣泛應(yīng)用于自動化和機器人技術(shù)。

3. **汽車電子**: 由于其高耐溫性能和低導(dǎo)通電阻,ISL9N306AD3ST-VB 可以用于汽車的電源控制模塊,包括燈光控制和電動窗戶等,提供穩(wěn)定可靠的性能。

4. **LED驅(qū)動**: 在LED照明應(yīng)用中,該器件能夠有效控制電流,從而實現(xiàn)高亮度和高效能的照明解決方案,適用于商業(yè)和住宅照明系統(tǒng)。

5. **智能家居設(shè)備**: 該MOSFET 適合用于智能家居產(chǎn)品中的開關(guān)控制和電源管理,能夠提高能源利用率,并改善用戶體驗,例如在智能插座和家電控制系統(tǒng)中。

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