### 產(chǎn)品簡介 – ISL9N307AD3ST-VB
ISL9N307AD3ST-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為低電壓、高電流應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓（VDS）為 30V，柵源電壓（VGS）范圍為 ±20V，門檻電壓（Vth）為 1.7V。該器件在 VGS = 4.5V 時的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為 6mΩ，在 VGS = 10V 時為 5mΩ，最大連續(xù)漏極電流（ID）為 80A。采用 Trench 技術(shù)，該 MOSFET 在低開關(guān)損耗和高效率方面表現(xiàn)出色，適合多種高效電源和開關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 80A
- **工作技術(shù)**: Trench 技術(shù)
- **最大功耗**: 60W（基于適當(dāng)?shù)纳釛l件）
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **反向恢復(fù)時間 (trr)**: 80ns（典型值）
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理系統(tǒng)**
ISL9N307AD3ST-VB 非常適合用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源，能夠在高電流和低電壓條件下工作。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗，提高系統(tǒng)的整體效率，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和電源模塊。
2. **電機(jī)驅(qū)動與控制**
該 MOSFET 可用于各種電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，尤其是在需要快速開關(guān)和高電流的場合，如直流電機(jī)控制和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動。其高效性能確保電機(jī)運(yùn)行穩(wěn)定，適合在自動化設(shè)備和機(jī)器人中使用。
3. **LED 驅(qū)動電路**
ISL9N307AD3ST-VB 也可用于 LED 驅(qū)動電路中，能夠提供高效率和低功耗的解決方案。其良好的熱性能和高電流承載能力使其成為燈具和照明系統(tǒng)中的理想選擇。
4. **電池管理系統(tǒng)**
在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中，該 MOSFET 可用于電池充放電控制和監(jiān)測，能夠處理高電流而不會過熱。適用于電動車、儲能系統(tǒng)和便攜式電子設(shè)備。
通過這些應(yīng)用領(lǐng)域，ISL9N307AD3ST-VB 展現(xiàn)了其作為高性能 N 溝道 MOSFET 的廣泛適用性和重要性。
