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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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ISL9N315AD3ST-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: ISL9N315AD3ST-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
ISL9N315AD3ST-VB 是一款高效能的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電流和低電壓應(yīng)用設(shè)計。其額定漏源電壓(VDS)為30V,最大漏極電流(ID)可達70A。憑借其Trench技術(shù),該器件在較低的柵極驅(qū)動電壓下(如4.5V和10V)提供極低的導(dǎo)通電阻,分別為9mΩ和7mΩ。這使得ISL9N315AD3ST-VB 非常適合用于要求高效率和低功耗的應(yīng)用場合,如電源管理和開關(guān)電路。

### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵極電壓(VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench MOSFET
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **柵極電荷(Qg)**: 20nC (典型值)
- **體二極管反向恢復(fù)時間(trr)**: 30ns (典型值)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**: ISL9N315AD3ST-VB 非常適合用于高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,以實現(xiàn)高負載條件下的出色能效,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和便攜式電子設(shè)備。

2. **電機驅(qū)動**: 由于其高電流處理能力,該MOSFET 適合用于電機控制電路,包括直流電機和無刷電機的驅(qū)動,特別適用于自動化設(shè)備和機器人技術(shù)。

3. **汽車電子**: ISL9N315AD3ST-VB 的低導(dǎo)通電阻和高耐溫性能使其適合在汽車電源管理模塊中使用,例如燈光控制和窗戶調(diào)節(jié),確保系統(tǒng)的可靠性和效率。

4. **LED驅(qū)動**: 該器件在LED照明應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效控制電流,實現(xiàn)高亮度和高效能的照明解決方案,適合于商業(yè)和住宅照明系統(tǒng)。

5. **智能家居設(shè)備**: ISL9N315AD3ST-VB 也適用于智能家居產(chǎn)品中的開關(guān)控制和電源管理,提升能源利用率并改善用戶體驗,廣泛應(yīng)用于智能插座和電器控制系統(tǒng)。

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