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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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ISL9N316AD3ST-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: ISL9N316AD3ST-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### ISL9N316AD3ST-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

ISL9N316AD3ST-VB 是一款高效能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252 封裝,專為中高功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具備 30V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS),可廣泛應(yīng)用于各類電源和控制電路。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 4.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為 6mΩ,而在 10V 時(shí)為 5mΩ,支持高達(dá) 80A 的漏極電流 (ID)。低閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,使得該 MOSFET 在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下能夠順利導(dǎo)通,適合多種低電壓驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用場景。采用 Trench 技術(shù),ISL9N316AD3ST-VB 優(yōu)化了導(dǎo)電性能和熱管理,確保其在高效電源設(shè)計(jì)中的優(yōu)越表現(xiàn)。

### ISL9N316AD3ST-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術(shù)類型**: Trench

### ISL9N316AD3ST-VB 適用領(lǐng)域和應(yīng)用模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**:ISL9N316AD3ST-VB 被廣泛應(yīng)用于電源管理模塊,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、充電器和電源開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其能夠在高效能電源設(shè)計(jì)中有效減少能量損耗,提高整體系統(tǒng)效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,該 MOSFET 非常適合用于電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。憑借其高電流承載能力和快速開關(guān)特性,ISL9N316AD3ST-VB 成為驅(qū)動(dòng)各種電機(jī)和執(zhí)行器的理想選擇,能夠滿足高功率應(yīng)用的需求。

3. **汽車電子**:該器件也適合用于汽車電子設(shè)備,如電池管理系統(tǒng)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。其耐壓和高導(dǎo)電性能,使其能夠在汽車應(yīng)用中提供穩(wěn)定的性能,確保電氣系統(tǒng)的可靠性和效率。

4. **LED 照明**:ISL9N316AD3ST-VB 適用于高效 LED 照明驅(qū)動(dòng)器,確保 LED 模塊獲得穩(wěn)定的電流供應(yīng),提升照明系統(tǒng)的能效與使用壽命,廣泛應(yīng)用于家庭、商業(yè)照明及戶外照明等領(lǐng)域。

ISL9N316AD3ST-VB 是一款高性能的 MOSFET,廣泛應(yīng)用于多種高效電源和控制系統(tǒng)中,特別適合于對功率和效率要求嚴(yán)格的模塊。

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